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氧化物半導體薄膜電晶體

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	氧化物半導體薄膜電晶體
‧ 專利證書號	I397184 8053836
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2009/04/29) 美國 (2009/06/01)
‧ 發明人	黃建璋, 葉永輝, 鄭君丞, 蕭世驊, 劉光中,

技術摘要：

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