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利用邊際電廠效應變化之金氧半電容記憶體

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	金氧半結構的記憶元件及其製造方法
‧ 專利證書號	I467754
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2011/07/21)
‧ 發明人	陳姿妤 , 胡振國 ,

技術摘要：

一種金氧半結構的記憶元件及其製造方法,透過施加正負偏壓於金氧半結構中的氧化層來改變氧化層中的負電荷分布,以便根據邊際電場效應的變化得到兩個穩定的電流狀態特性,用以達成降低製造成本及提升與互補式金氧半整合的便利性之技術功效。
A memory device based on metal oxide semiconductor (MOS) structure and fabricating method thereof is disclosed. By applying positive/negative bias to an oxide layer within the MOS structure for changing negative charge distribution inside the oxide layer, so as to obtain two stable characteristics of current status according to the fringing field effect. The mechanism is used to reduce the fabricating cost and to provide convenience for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integration.

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