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石墨烯層轉印之方法

刊登日期：2016/02/11

‧ 專利名稱	石墨烯層轉印之方法
‧ 專利證書號	I520901
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2013/09/03)
‧ 發明人	林偉翔, 陳廷卉, 蘇維彬, 吳志毅, 張嘉升,

技術摘要：

本發明係提供一種石墨烯層轉印之方法,其包含下列步驟:(a)提供支撐架;(b)將支撐架置於蝕刻液之中;(c)將批覆石墨烯層之第一基板置於支撐架中進行蝕刻;(d)將蝕刻液置換為水溶液;(e)將第二基板置於水溶液之中;(f)將石墨烯層轉印於第二基板上.其中,本發明之方法無須使用高分子材料作為支撐層,除避免傳統方式容易有高分子殘留之缺點,仍具備優異的材料性質.

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