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 單分離、球形氧化銦基顆粒及其製程方法 |
刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
單分離、球形氧化銦基顆粒及其製程方法 |
| ‧ 專利證書號 |
US 8,236,278
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2007/10/25)
美國 (2008/01/28)
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| ‧ 發明人 |
韋文誠, 林頌恩, |
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| 技術摘要： |
本案係關於一種氧化銦基顆粒。該氧化銦基顆粒為單分離、球形的非晶質結構,粒徑介於0.1微米至0.7微米之間,其氧化銦含量介於10.0至99.9重量百分比之間。該氧化銦基顆粒為含銦離子之起始水溶液與羧酸於含有鹼性調整劑之水溶液中經過恆溫反應而得。該氧化銦基顆粒可進一步煆燒為結晶結構的三氧化二銦顆粒。
An indium oxide-based particle is provided. The indium oxide-based particle has a mono-dispersive and spherical non-crystalline structure (spherical morphology with amorphous phase). The diameter of particle is ranged between 0.10 μm and 0.70 μm, and the content of an indium oxide is ranged between 10.0 percent by mass and 99.9 percent by mass. The indium oxide-based particle is generated by the precursor with indium ion reacting with alpha hydroxyl acid in an aqueous solution with alkali-modifier additive at a constant temperature. The indium-oxide based particle can be further calcinated as a crystalline indium oxide particle.
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聯繫方式 |
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研發處產學合作總中心 |
電話：
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