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使用原子層沉積技術成長氧化鋅/氧化鋅鎂磊晶薄膜與量子井及其光學性質之研究

刊登日期：2014/05/21

技術摘要：

本發明揭露一種氧化鋅基半導體發光元件及其製造方法。根據本發明之製造方法，首先，係製備一基材。接著，藉由一基於原子層沈積之製程，於該基材上或之上形成一氧化鋅基多層結構，其中該氧化鋅基多層結構包含一發光區域。

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