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 用於增進導電元件導電特性之奈米孔洞陣列 |
刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
用於增進導電元件導電特性之奈米孔洞陣列 |
| ‧ 專利證書號 |
I375984
8232475
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2008/09/19)
美國 (2009/02/10)
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| ‧ 發明人 |
黎中立 , 管傑雄 , |
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| 技術摘要： |
本發明揭露一種用於增進導電元件導電特性之奈米孔洞陣列，該導電元件係由一第一層體及一第二層體所構成，於兩層體之間形成有一奈米孔洞陣列，且該奈米孔洞陣列係由複數個孔洞所構成。因此，藉由孔洞陣列尺寸的縮小、增加孔洞陣列的涵蓋率及熱退火處理提供了該導電元件一較佳的接觸導電特性。
A nano-hole array for improving contact conductance of a conductor element that consists of a first layer and a second layer is provided. The nano-hole array formed between the first and second layers comprises a plurality of holes. The contact conductance of the conductor element is enhanced by reducing the hole size of the hole array, increasing the occupation rate of the hole array, and performing thermal annealing.
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