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[專利]
無人機干擾裝置
中華民國 (2022/12/02), 中華民國 (2022/12/02), 中國 (2023/04/27),
創作人: 周瑞仁,
檢視摘要
...
2
[專利]
金屬半導體接面太陽能電池
中華民國 (2022/06/08), 美國 (2022/10/06),
創作人:
林清富
, 張崇瀚,
檢視摘要
...
3
[專利]
金屬-絕緣體-半導體結構之紅外光偵測技術
中華民國 (2021/12/06), 美國 (2022/11/28),
創作人: 蘇子鈞, 張仁耀,
林清富
,
檢視摘要
...
4
[專利]
Aptamer-Based Biosensor and Uses Thereof
美國 (2021/07/21),
創作人: 陳逸聰,
檢視摘要
...
5
[專利]
應用於無線通訊系統之可延展相位陣列系統
美國 (2021/03/18), 美國 (2022/03/17), 中華民國 (2022/03/18),
創作人: 李俊興, 邱品鈞,
檢視摘要
...
6
[專利]
美國 (2019/06/17),
創作人: 鄒亞叡, 羅宗祐,
劉致為
,
檢視摘要
...
7
[專利]
美國 (2019/09/16),
創作人: 羅宗祐, 鄒亞叡,
劉致為
,
檢視摘要
...
8
[專利]
Semiconductor contact structure, semiconductor device, and method for forming the same
美國 (2019/02/01), 中國 (2019/03/25), 中華民國 (2019/04/09),
創作人: 綦振瀛, 鄒承翰, 陳仕鴻,
檢視摘要
...
9
[專利]
美國 (2019/08/22),
創作人: 黃智雄, 蔡仲恩,
劉致為
,
檢視摘要
...
10
[專利]
美國 (2020/04/16),
創作人: 蔡仲恩, 鍾嘉哲,
劉致為
,
檢視摘要
...
11
[專利]
美國 (2020/07/30),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
12
[專利]
偵測元件的測量方法
中華民國 (2020/06/24),
創作人:
林清富
, 黃瑀杰, 王家均,
檢視摘要
...
13
[專利]
生成過渡金屬硫化物的方法
中華民國 (2020/08/06),
創作人: 謝馬利歐, 謝雅萍, 邱聖貴, 劉重佑,
檢視摘要
...
14
[專利]
III-V半導體鐵電異質結構
美國 (2018/12/28), 美國 (2020/11/03),
創作人:
陳敏璋
, 謝宗霖, 林柏廷,
檢視摘要
...
15
[專利]
鐵電電感材料與元件
美國 (2019/07/16),
創作人:
陳敏璋
, 鄭柏賢, 殷瑀彤,
檢視摘要
...
16
[專利]
Ferroelectoricity and antiferroelectoricity in oxide thin films
美國 (2018/12/26),
創作人:
陳敏璋
,
檢視摘要
...
17
[專利]
以層狀的氧化物結構來提升材料之介電係數
美國 (2018/11/14),
創作人: 洪銘輝,
檢視摘要
...
18
[專利]
熱載子光電轉換方法
美國 (2017/10/13),
創作人:
林清富
, 許紘彰,
檢視摘要
The present invention provides a hot-carrier photoelectric conversion method. The method includes a hot-carrier photoelectric conv...
19
[專利]
超寬頻誘發局域表面電漿共振結構之應用及其製程方法
中華民國 (2018/05/14), 美國 (2019/03/06), 中國 (2019/03/29), 德國 (2019/05/03), 英國 (2019/08/15), 法國 (2019/08/22), 新加坡 (2019/10/25), 日本 (2019/10/29), 韓國 (2019/10/31),
創作人:
林清富
, 莊閎傑, 林孟頡, 黃柏瑞,
檢視摘要
本發明一實施例提供一種利用金屬半導體界面的光偵測元件,可應用於紅外光的偵測。在另一實施例,該光偵測元件導入局域表面電漿共振結構,以提升元件的光電響應與偵測波長範圍。該光偵測元件可應用於量測各種入射光強度與量測可見光至中紅外光波段(300nm ~ 20μm)的入...
20
[專利]
半導體技術節點研究
美國 (2014/04/04),
創作人: 廖洺漢,
檢視摘要
半導體技術...
21
[專利]
High electron mobility transistors
美國 (2017/09/13),
創作人:
陳敏璋
, 施奐宇,
檢視摘要
...
22
[專利]
電子束微影方法及其系統
中華民國 (2016/11/30), 美國 (2017/06/01),
創作人: 管傑雄, 粘群, 蘇文生, 張立成, 鍾政桓, 饒偉正, 葉修昀, 張韶文, 沈冠源,
檢視摘要
一種電子束微影方法,包含以下步驟。經由圖案尺寸模擬系統運算且輸出正型電子敏感層之顯影持續時間與電子束裝置之條件參數。低溫處理顯影液以冷卻顯影液。依據圖案尺寸模擬系統所輸出之條件參數,使用電子束以照射正型電子敏感層之曝光區。依據圖案尺寸模擬系統所輸出之顯影持續時...
23
[專利]
Post Deposition N2 Annealing for Attaining Extremely Low High-κ/(In)GaAs Interfacial Trap Densties
美國 (2017/09/15), 中華民國 (2017/11/29), 中國 (2017/11/29),
創作人: 洪銘輝,
檢視摘要
...
24
[專利]
Single Crystal Perovskite Achieved by atomic Layer Deposition with Post-deposition Annealing
美國 (2017/04/14), 中華民國 (2017/06/01), 中國 (2017/06/01),
創作人: 洪銘輝,
檢視摘要
...
25
[專利]
Precise Digital Etching with High Conformity
美國 (2016/06/03), 中華民國 (2016/11/09), 中國 (2017/05/17),
創作人:
陳敏璋
, 鄭柏賢,
檢視摘要
...
26
[專利]
美國 (2016/07/08),
創作人:
陳敏璋
, 鄭柏賢,
檢視摘要
...
27
[專利]
Single-crystal ALD-Y2O3 on GaAs(001)-4x6
美國 (2016/05/27),
創作人: 洪銘輝,
檢視摘要
...
28
[專利]
美國 (2015/09/14),
創作人:
陳敏璋
,
檢視摘要
...
29
[專利]
美國 (2015/06/29), 韓國 (2015/11/23),
創作人: 林時彥,
檢視摘要
...
30
[專利]
Transition metal dichalcogenide transistors with nanometer-size channel lengths fabricated on 2-D crystal hetero-structures
美國 (2016/01/06), 中華民國 (2016/12/22), 中國 (2016/12/30),
創作人: 林時彥, 吳崇榮, 劉繼文,
檢視摘要
...
31
[專利]
半導體器件和晶體管
美國 (2015/05/15), 中國 (2015/11/27),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
32
[專利]
可轉貼、可塑形、可伸縮的電子式記憶體元件與製程
美國 (2014/04/01), 中華民國 (2014/04/10),
創作人: 陳永芳, 賴盈至,
檢視摘要
...
33
[專利]
一種金屬-矽基材結構的紅外光偵測器
美國 (2014/02/10), 中華民國 (2014/07/14), 美國 (2015/02/09),
創作人: 陳學禮, 林耕德, 賴宇紳, 游振傑,
檢視摘要
...
34
[專利]
美國 (2012/11/09),
創作人: 江介宏, 鍾逸亭,
檢視摘要
A functional timing analysis method, executed in a computing device, comprises: step A: obtaining a circuit; step B: selecting a t...
35
[專利]
時序設計變更的方法
中華民國 (2012/08/03), 美國 (2012/11/07),
創作人:
張耀文
, 張華宇, 江蕙如,
檢視摘要
一種利用路徑平滑化之時序設計變更的方法,首先將一電路的複數個時序違規路徑分解成複數個違規路徑區段。接著對各該違規路徑區段計算出一參數平滑曲線,且於該參數平滑曲線上產生複數個參考點。接著對各該違規路徑區段的各元件計算一可修性參數,該可修性參數與該元件及其對應之參...
36
[專利]
測量氧化層厚度的方法
中華民國 (2011/08/16),
創作人: 呂涵薇 , 胡振國 ,
檢視摘要
本發明提出一種測量氧化層厚度的方法,用於測量金氧半電容元件之氧化層的未知厚度。首先,產生電壓電流對應關係,所述電壓電流對應關係對應指示複數個第一閘極電壓與複數個第一漏電流密度。接著,將每一個第一漏電流密度分別對第一閘極電壓進行微分運算。接著,自多個第一閘極電壓...
37
[專利]
以加權平均導線長模型實現之解析配置演算法
美國 (2011/10/18), 中華民國 (2011/11/30),
創作人: 包偉力 , 徐孟楷 ,
張耀文
,
檢視摘要
本發明係一種用以產生積體電路中複數個元件佈局之電腦實現法,藉由使用一加權平均線長模型估算總線長以達成目標。藉由對一目標函數進行最佳化流程可決定此一佈局,該函數包括一由加權平均線長模型估算之線長函數。此法可進一步用於三維積體電路中複數個元件之佈局,此法同時考量矽...
38
[專利]
干涉成像裝置及其系統
中華民國 (2011/08/31),
創作人: 王譽達 , 張俊霖 , 黎延垠 ,
黃升龍
, 孫繼文,
檢視摘要
一種干涉成像裝置,其包括射源裝置與成像裝置。射源裝置為極紫外線射源並產生輸入射源。成像裝置將所接收的輸入射源分為參考射束與樣本射束輻射單元,並具有參考路徑輻射單元、樣本路徑輻射單元與輻射感測器,其中此成像裝置之反射或聚焦元件皆為使用特定材料組合之多層膜片。樣本...
39
[專利]
具雙層陷阱之記憶體結構及其形成方法
中華民國 (2011/07/08),
創作人: 江榮進 , 胡振國 ,
檢視摘要
一種具雙層陷阱之記憶體結構,此具雙層陷阱之記憶體結構包括基板、電荷捕捉層、介電層以及閘極導電層。電荷捕捉層位於基板之上。介電層位於電荷捕捉層之上,且介電層具有高介電常數(high-k)。閘極導電層位於介電層之上。基板上生長電荷捕捉層時,介面產生的缺陷為一第一層...
40
[專利]
時鐘樹結構及其合成方法
中華民國 (2010/10/28), 美國 (2011/06/15),
創作人: 施信瑋,
張耀文
,
檢視摘要
一種時鐘樹結構合成方法,可應用於積體電路或者印刷電路板之實體設計中以形成對稱的時鐘樹結構,同時達到將時鐘歪斜最小化、具製程變異容忍度以及加快合成速度之效果。於本發明中,為了避免某層次之分枝數過多造成時鐘樹結構不符合扇出限制,藉由設置複數個假標的使得總標的數量進...
41
[專利]
運用可同步誘導電路的主動式積體電路量測技術
中華民國 (2009/11/10), 美國 (2010/06/18),
創作人: 甘家兆 , 江介宏 ,
檢視摘要
本發明的一實施例為一種具有矽智財保護的積體電路,包括一硬體矽智財、一識別碼產生器以及一鎖定電路。識別碼產生器,根據每一製造出的該硬體矽智財產生一識別碼(ID)。鎖定電路,用以鎖定該硬體矽智財,且當該鎖定電路接收到對應到該識別碼的一金鑰時,鎖定電路將製造出的該硬...
42
[專利]
應用於雙圖案微影技術的佈局分解方法
中華民國 (2009/07/06), 美國 (2010/07/02),
創作人:
張耀文
, 陳皇宇 ,
檢視摘要
A layout decomposition method, applicable to a double pattern lithography, includes the steps of: putting at least a stitch on eac...
43
[專利]
相變化材料、記憶單元及利用電學儲存/讀取資料之方法
中華民國 (2008/01/18), 美國 (2008/07/30),
創作人:
彭隆瀚
, 王菘豊 , 謝孟桂 , 陳建宇 ,
檢視摘要
一種相變化材料與記憶單元,該材料僅具有單一結晶態且主要成分係選自銦、鎵及/或鍺之氧化物或氮氧化物。該材料可用於製作記憶單元,包含基板;形成於該基板表面之第一接觸電極;配置於該基板表面之介電層,該介電層具有一開孔供相變化材料層形成於該開孔中;以及配置於該介電層表...
44
[專利]
於碳化矽基板上形成絕緣層之方法、碳化矽電晶體及其製造方法
中華民國 (2007/07/11), 美國 (2008/07/03),
創作人: 胡振國 , 莊凱傑 ,
檢視摘要
一種於碳化矽基板上形成絕緣層之方法,包括下列步驟:提供一碳化矽基板;以及於不高於200℃之一液態環境中氧化該碳化矽基板並於其上形成一二氧化矽層。本發明亦提供了一種碳化矽電晶體及其製造方法。 An exemplary method for forming a...
45
[專利]
一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構
中華民國 (2002/04/26), 德國 (2002/09/20), 英國 (2002/09/23), 美國 (2002/09/23), 法國 (2002/11/29), 日本 (2002/12/27),
創作人:
林清富
, 林唯芳, 梁逸智, 蘇亭偉,
檢視摘要
本發明係有關於一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構,其主要至少係包括:一矽晶片;一奈米結構之氧化層,其係位於該矽晶片之上;及一金屬層,其係位於該氧化層之上;本發明其主要係用一奈米結構之氧化層,造成一不均勻性之穿遂電流,以增加其發光之效率,因其製造方法與目前...