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 tunable gap ultra-thin-body transistor based on a topological insulator
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刊登日期：2018/10/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
107039280B
I637429B
11043376
10109477B2
10636651B2
11664218B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2016/05/10)
中華民國 (2016/11/03)
中國 (2016/12/30)
美國 (2018/07/31)
美國 (2020/04/14)
美國 (2021/06/07)
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| ‧ 發明人/PI |
劉致為,
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明實施例提供基於一拓樸絕緣體的一種電晶體。在本發明實施例中，使用一拓樸絕緣體形成通道和源/汲極區兩者，其中上述通道具有一第一厚度，使上述拓樸絕緣體具有一半導體材料的性質。並且上述源/汲極區具有一第二厚度，使上述拓樸絕緣體具有一導電材料的性質。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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