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 多晶矽薄膜之製作方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
I255508
7192818B1
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2005/07/08)
美國 (2005/09/22)
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| ‧ 發明人/PI |
李嗣涔,孟昭宇,張旭佑,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種多晶矽薄膜之製作方法，乃利用吸熱層提供充分熱源予非晶矽薄膜進行晶粒成長，並以絕緣層隔絕吸熱層與非晶矽薄膜，再藉由規則排列的導熱層作為冷源，來控制非晶矽薄膜之結晶位置及晶格大小，使得非晶矽薄膜可結晶為均勻的多晶矽薄膜，進而可穩定控制多晶矽薄膜的電性。
A polysilicon thin film fabrication method is provided, in which a heat-absorbing layer is used to provide sufficient heat for grain growth of an amorphous silicon thin film, and an insulating layer is used to isolate the heat-absorbing layer and the amorphous silicon thin film. A regular heat-conducting layer is used as a cooling source to control the crystallization position and grain size of the amorphous silicon thin film. Therefore, the amorphous silicon thin film can crystallize into a uniform polysilicon thin film, and the electrical characteristics of the polysilicon thin film can be stably controlled.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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