高密度微電極陣列及其序列式控制方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 高密度微電極陣列及其序列式控制方法
  ‧ 專利證書號 I401432
US 8,195,268
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/12/05)
美國 (2009/02/26)
 
  ‧ 發明人/PI 林啟萬,陳志宏,楊豐旗,
  ‧ 單位 應用力學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭露一種高密度微電極陣列及其序列式控制方法,主要係使每一微電極連接至同一導線上,並利用序列式開關使該些微電極依序導通。在一合理的時間解析度下,讓同一微電極連續兩次被導通的時間間隔符合該時間解析度。藉此精簡微電極陣列中的線路佈局方式,縮小微電極陣列的面積,亦能使固定面積下可設置的微電極數量最大化。

Each micro electrode of a high-density micro electrode array is connected to the same conducting wire. Serial switches enable sequential electrical connection of the micro electrode array. Given reasonable temporal resolution, the separation interval of two consecutive instances of the same micro electrode entering the ON state matches the temporal resolution. The micro electrode array has simple layout and small area, thereby maximizing the number of micro electrodes installed per unit area.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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