提升無機半導體薄膜結晶性及可控制尺寸垂直排列無機半導體微/奈米結構之製作方法
  ‧ 專利名稱 維持材料表面平整度的製作方法
  ‧ 專利證書號 I392774
US 8,030,189
  ‧ 專利權人 台灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2009/09/17)
美國 (2009/10/28)
  ‧ 發明人 林清富, 趙家祈, 林文瀚,
 
技術摘要:
本發明揭露一種維持材料表面平整度的製作方法,首先提供一基板;接著,形成一目標材料層於基板上,目標材料係為一可結晶性材料;然後,形成一保護層於目標材料層上;接著,進行一退火處理,藉由保護層的張力與對目標材料層附著的壓力維持目標材料層的表面平整度;最後,移除保護層。

A method for maintaining a smooth surface of crystallizable material is disclosed. First, a substrate is provided. A target material layer is then formed on the substrate, with the target material being a crystallizable material. A protecting layer is subsequently formed on the target material layer. Next, an annealing treatment is implemented, with the surface of the target material layer, facing the protecting layer, being maintained in its original smooth state by the pressure and/or adhesion of the protecting layer. Finally, the protecting layer is removed to leave an open and smooth surface of the processed crystallizable material.



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