改善金屬輔助蝕刻矽奈米結構之密度與均勻度
  ‧ 專利名稱 具有矽奈米結構的矽基板與其製造方法及應用
  ‧ 專利證書號 I472478
US8101522
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2010/02/25)
中華民國 (2010/05/14)
  ‧ 發明人 林清富, 許書嘉,
 
技術摘要:
本發明實施例提供一種具矽奈米結構之矽基板的製造方法,包含:提供一矽基板;形成一氧化層在矽基板上;沈浸矽基板於一含氟溶液,含氟溶液包含一金屬離子,所述金屬離子被還原形成複數個金屬奈米結構在矽基板表面;以及浸沒矽基板於一蝕刻溶液,以蝕刻位於所述金屬奈米結構下方的矽,未被蝕刻的矽形成複數個矽奈米結構。

A method for forming a silicon substrate having a multiple silicon nanostructures includes the steps of: providing a silicon substrate; forming an oxidization layer on the silicon substrate; immersing the silicon substrate in a fluoride solution including metal ions, thereby depositing a plurality of metal nanostructures on the silicon substrate; and immersing the silicon substrate in an etching solution to etch the silicon under the metal nanostructures, the unetched silicon forming the silicon nanostructures.



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