控制金屬輔助化學蝕刻方向性使矽奈米結構薄膜脫離矽基板之方法
  ‧ 專利名稱 矽奈米結構與其製造方法及應用
  ‧ 專利證書號 I472477
US 8,334,216
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2010/03/02)
美國 (2010/05/28)
  ‧ 發明人 林清富, 許書嘉,
 
技術摘要:
本發明實施例提供一種矽奈米結構與其製造方法,其藉由金屬輔助化學蝕刻製備矽奈米結構。所製備的矽奈米結構的根部,亦即與矽基板連接處,具有側向蝕刻與多孔洞結構。藉此,可利用連接處結構脆弱的特徵,以物理方式轉移矽奈米結構至異質基板上。

The present invention provides silicon nanostructures and their producing method. By employing a metal-assisted chemical etching method, the bottom of the produced silicon nanostructures, connected to the silicon substrate, is porous and side etched, such that the silicon nanostructures can be easily transferred to a hetero-substrate by a physical manner.



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