利用金屬輔助溼蝕刻技術製作高非等向性之矽溝槽結構
  ‧ 專利名稱 矽溝槽結構的製造方法
  ‧ 專利證書號 I459459
US 8,193,095
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2010/10/13)
美國 (2011/02/11)
  ‧ 發明人 林清富, 洪士哲, 許書嘉,
 
技術摘要:
一種矽溝槽結構的製造方法,包含在一矽基板上定義一蝕刻區域;形成複數個金屬催化劑於該蝕刻區域上;浸沒該矽基板於一第一蝕刻溶液,形成高非等向性蝕刻的矽奈米結構於該蝕刻區域;浸沒該矽基板於一第二蝕刻溶液,造成矽奈米結構與矽基板連接處的側向蝕刻,使矽奈米結構本質脫離該矽基板,形成一矽溝槽結構。

A method for forming a silicon trench, comprises the steps of: defining an etching area at a silicon substrate; forming metal catalysts at the surface of the etching area; immersing the silicon substrate in a first etching solution thereby forming anisotropic silicon nanostructures in the etching area; immersing the silicon substrate in a second etching solution thereby resulting in the silicon nanostructures being side-etched and detached from the silicon substrate, thus forming the silicon trench.



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