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 從化學氣相沉積在堆疊基底上合成過度金屬硫化物薄膜的方法
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刊登日期：2021/08/11 |
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| ‧ 專利名稱 |
生成過渡金屬硫化物的方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I736389
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2020/08/06)
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| ‧ 發明人/PI |
謝馬利歐,謝雅萍,邱聖貴,劉重佑,
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| ‧ 單位 |
物理學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本揭示內容中的一些實施方式中提供生成過渡金屬硫化物的方法，包含以下步驟：提供第一石墨層；形成過渡金屬氧化層於第一石墨層之第一表面上，獲得第二石墨層；提供第一基材；將鹼金屬鹵化物溶液塗佈於第一基材之第二表面上，獲得第二基材；第二石墨層及第二基材共同形成子疊層，其中子疊層中的第二石墨層以及第二基材之間相對且相隔特定距離；提供複數個子疊層；將各子疊層的第二基材疊置於另一子疊層中的第二石墨層上，形成疊層；將含硫氣體通入疊層中，獲得過渡金屬硫化物薄膜。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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