Non-Hysteretic steep subthreshold swing of ferroelectric-antiferroelectric gate stack negative capacitance field effect transistors
刊登日期:2024/03/26
  ‧ 專利名稱 Non-Hysteretic steep subthreshold swing of ferroelectric-antiferroelectric gate stack negative capacitance field effect transistors
  ‧ 專利證書號 11,942,546
12062719
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2020/12/03)
中華民國 (2020/12/07)
中國 (2021/03/31)
美國 (2022/07/26)
美國 (2024/06/28)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為,李敏鴻,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
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