A structure of stacked-channel transistors for channel number selection by source/drain regrowth
刊登日期:2022/08/09
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 11411082
11742388B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2019/10/01)
美國 (2022/07/22)
美國 (2023/07/26)
 
  ‧ 發明人/PI 鄒亞叡,羅宗祐,黃文宏,顏智洋,劉致為
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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