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利用硝酸氧化技術製造金屬氧化層之方法
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
利用硝酸氧化技術製造金屬氧化層之方法 |
‧ 專利證書號 |
I232893
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2003/12/12) 美國 (2004/12/02)
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‧ 發明人/PI |
胡振國 ,郭智昇 ,黃思維 ,
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‧ 單位 |
電子工程學研究所
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明係提供一種利用硝酸氧化技術製造金屬氧化層之方法,其包含下列步驟:a)提供一半導體基板;b)在該半導體基板表面成長一超薄二氧化矽薄膜;c)在該二氧化矽薄膜上沈積一金屬薄膜;d)以硝酸氧化技術將該金屬薄膜氧化成一金屬氧化層;以及e)以高溫退火處理該金屬氧化層。
A method for forming a metal oxide layer by nitric acid oxidation is disclosed. The method includes steps of (a) providing a semiconductor substrate, (b) forming a super-thin silicon dioxide layer on the semiconductor substrate, (c) depositing a metal thin film on the silicon dioxide layer, (d) oxidizing the metal thin film into a metal oxide layer, and (e) annealing the metal oxide layer at high temperature.
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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