用於光電元件之金屬薄膜及其製造方法
  ‧ 專利名稱 用於光電元件之金屬薄膜及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I434327
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/08/05)
  ‧ 發明人 陳學禮, 莊尚餘, 郭珊珊, 賴郁暉, 李正中, 林唯芳,
 
技術摘要:
本發明中我們描述一個的壓印技術,稱為『直接式奈米壓印金屬技術』,這種技術主要能夠將金屬直接壓印成週期性的波浪狀與週期性的碗形結構以形成孔洞陣列。這類含有週期性結構的金屬能夠引發表面電漿共振現象(surface plasmons resonance,SPR)導致其光穿透律的異常提昇(異常穿透現象,extraotdinary transmission),奈米壓印技術因為能夠壓印出不同深淺與不同週期的金屬結構,而控制並調變出不同工作波段(work wavelength)與不同的光穿透律(transmittance),能應用製作各種光電元件(optoelectronic devices)的應用,包括:偏光片(polarizer)、彩色濾光片(color filter)、表面電漿感測器(SPR sensor)、光偵測器(photodetector)、太陽能電池(solar cells)等。



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