製備L10相合金薄膜的方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 製備L10相合金薄膜的方法
  ‧ 專利證書號 I274788
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2004/07/29)
中華民國 (2004/12/10)
 
  ‧ 發明人/PI 張慶瑞 ,郭博成 ,黃暉理,許仁華,孫安正,陳勝吉,周群淵,李長泰,張晃暐 ,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明是提供一種用於製備一L10相合金薄膜的方法。該方法包含以下步驟:(a)提供一基材;(b)以一第一溫度,加熱該基材一段時間,使其成為一預熱基材,其中該第一溫度之範圍是自100℃至600℃,而該段時間之範圍是自5分鐘至120分鐘;(c)沈積一合金薄膜於該預熱基材上;以及(d)以一第二溫度,將該合金薄膜進行退火以形成該L10相合金薄膜,其中該第二溫度之範圍是自200℃至500℃。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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