自合成導電薄膜之形成方法及其應用
  ‧ 專利名稱 自合成導電薄膜之形成方法及其應用
  ‧ 專利證書號 I240847
US7,537,884
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2003/11/28)
美國 (2004/10/20)
  ‧ 發明人 謝國煌, 梁文傑, 林金福, 邱文英, 陳文章, 王立義, 廖文彬, 戴子安, 王宏仁, 郭昭輝, 李其欣, 黃俊銘, 施振遠, 林唯芳, 張宏鈞,
 
技術摘要:
本發明揭示了一種自合成導電薄膜之形成方法及其應用,此形成方法首先於基材上形成至少一個具有特定圖案與特定官能基之光阻以鍵結一導電性高分子聚合單元之另一特定官能基,並藉此形成一具有特定圖案之導電薄膜。此外,本發明之技術亦可應用於發光薄膜的形成方法,特別是有關於有機發光二極體元件中之發光層的形成方法。

The present invention discloses a method by utilizing chemical reaction or specific attractive forces (complexation or hydrogen bonding) for forming self-synthesizing conductive or conjugated polymer film and its application. First of all, at least one photoresist layer with a first functional group and a specific pattern is formed, so that the first functional group can bond a second functional group of a conductive or conjugated polymer unit, whereby a conductive or conjugated polymer film with specific pattern is formed. Furthermore, this invention can be applied for forming emitting films, especially for forming emitting layers of OLED/PLED elements.



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