具有平整化電鍍吸收層之銅銦硒/銅銦鎵硒太陽能電池及其製作方法
  ‧ 專利名稱 薄膜太陽能電池晶片及其製作方法
  ‧ 專利證書號 I492399
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/12/13)
  ‧ 發明人 黃憲中, 林招松,
 
技術摘要:
本發明揭示一種薄膜太陽能電池晶片,其包含玻璃基板、背電極、改質層、吸收層、緩衝層與透明導電層。背電極設置於基板上,而藉由一改質製程在背電極上形成改質層。在改質層上形成吸收層。緩衝層設置於吸收層上方,透明導電層設置於緩衝層上方。藉由氧化或鈍化背電極以形成改質層,改善吸收層結構連續性。



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