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Large Area Mesoporous silica Thin Films on Flat Substrates with Perpendicular

刊登日期：2016/11/16

‧ 專利名稱	一種奈米金陣列及其製備方法和應用
‧ 專利證書號	I591019
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2016/03/02) 美國 (2016/03/03)
‧ 發明人	牟中原, 高琨哲, 陳姿穎, 王怡雯, 劉沂欣,

技術摘要：

本發明提供一種奈米金陣列及其製備方法和應用，該奈米金陣列係由一金粒子和一表面具有垂直奈米管道的中尺寸多孔性矽材料所構成，且該金粒子錨定在該垂直奈米管道上而構成上述之奈米金陣列。本發明同時亦揭露製備上述奈米金陣列的方法及該奈米金陣列在分子偵測上的應用。

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室