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單電橋磁場感測器

刊登日期：2017/03/01

‧ 專利名稱	單電橋磁場感測器
‧ 專利證書號	I578008 9,709,640
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中國 (2015/08/31) 中華民國 (2015/08/31) 美國 (2015/08/31)
‧ 發明人	鄭振宗, 張慶瑞, 許仁華, 呂志誠,

技術摘要：

本發明創作係關於一種單電橋磁場感測器，主要係透過一電橋單元內所包含之第一至第四磁阻元件，再配合切換電路根據所欲量測磁場方向進行電路切換，而改變各磁阻元件、各輸入電壓源、各接地端、及各電壓輸出端之間的電性連接關係，藉此根據各磁阻元件之磁阻值、及各電壓輸出端之輸出電壓值，來得到各軸向之磁場量測值。由於本發明創作僅利用單一電橋單元，便可達到量測各軸向磁場之目的，相較於習用磁場感測器需利用至少三個電橋單元，本發明創作之單電橋磁場感測器可大幅降低整體體積。

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室

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