國立臺灣大學-技術交易網

Perfecting high k/GaSb interface using molecule beam epitaxy Y2O3

刊登日期：2015/12/15

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	9,214,518
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2014/07/18)
‧ 發明人	朱瑞霖, 洪銘輝, 郭瑞年, 皮敦文, 綦振瀛,

技術摘要：

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室