Single-crystal antimonite prepared by MBE for device applications 刊登日期:2020/01/21
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 11152209B2
10541132B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2018/06/11)
中國 (2019/02/21)
中華民國 (2019/04/09)
美國 (2019/12/12)
  ‧ 發明人 林時彥,
 
技術摘要:
本揭示內容描述半導體裝置(例如:電晶體),包括:基板,半導體區域其包括在表面處的MoS2和/或在基板之上的其他單層材料,以及端子結構其至少部分地在半導體區域之上,且端子結構包括不同的單層材料其直接成長在基板區域之上。 The current disclosure describes semiconductor devices, e.g., transistors, include a substrate, a semiconductor region including, at the surface, MoS2and/or other monolayer material over the substrate, and a terminal structure at least partially over the semiconductor region, which includes a different monolayer material grown directly over the semiconductor region.



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