技術摘要: |
本揭示內容描述半導體裝置(例如:電晶體),包括:基板,半導體區域其包括在表面處的MoS2和/或在基板之上的其他單層材料,以及端子結構其至少部分地在半導體區域之上,且端子結構包括不同的單層材料其直接成長在基板區域之上。
The current disclosure describes semiconductor devices, e.g., transistors, include a substrate, a semiconductor region including, at the surface, MoS2and/or other monolayer material over the substrate, and a terminal structure at least partially over the semiconductor region, which includes a different monolayer material grown directly over the semiconductor region.
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