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Graphene transistor

刊登日期：2018/04/10

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	I710065 9941380B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2015/11/30) 中國 (2016/11/18) 中華民國 (2016/11/28)
‧ 發明人	劉尚奕, 潘正聖, 吳志毅, 程琮欽,

技術摘要：

一種方法及結構係關於提供高品質之轉移的石墨烯層用於後續裝置製造，包含轉移石墨烯至疏水層之疏水性表面上及執行熱處理製程。在各種實施方式中，提供了包含絕緣層的基板，及疏水層形成於絕緣層上。在一些實施例中，石墨烯層轉移至疏水層上。舉例而言，轉移的石墨烯層具有第一載子遷移率。在一些實施方式中，於轉移石墨烯層之後，可執行退火製程，及退火的石墨烯層具有第二載子遷移率大於第一載子遷移率。

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室

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