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Low-K cavity formed by self-ending anodization 刊登日期：2017/11/07
  ‧ 專利名稱 Low-K cavity formed by self-ending anodization
  ‧ 專利證書號 9812395B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2014/10/07)
  ‧ 發明人 田維誠, 胡振國,
 
技術摘要：




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聯絡人： 研發處產學合作總中心 電話： (02)3366-9949
地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室
 
 
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