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 轉印石墨烯層之方法 |
刊登日期：2014/06/19 |
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| ‧ 專利名稱 |
轉印石墨烯層之方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I485290
US8926852B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2012/12/19)
美國 (2013/02/27)
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| ‧ 發明人 |
陳俊維, 陳家俊, 王迪彥, 黃奕勝, |
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| 技術摘要： |
本發明揭露一種轉印石墨烯層之方法，其係藉由靜電荷將形成於金屬載體層上之石墨烯層靜電吸附至基板上，接續浸泡於蝕刻液中以去除金屬載體層，從而完成石墨烯層的轉印。本發明除了可以提供一種簡易的石墨烯層的轉印方法，更改善有機物遺留的問題，從而增進了轉印後石墨烯層的電性品質。
The present invention discloses a method for transferring a graphene layer. The graphene layer formed on a metal carrier layer is electrostatically adsorbed on a substrate by electrostatic charges, and then the substrate having the graphene layer formed on the metal carrier layer is immersed in an etching solution to remove the metal carrier layer, thereby completing the transfer of the graphene layer. In addition to being able to provide a simple method for transferring the graphene layer, the present invention further solves a problem of retaining organic residues, thus enhancing electrical properties of the transferred graphene layer.
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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