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邏輯行為電子元件技術
電力電子
或
1
[專利]
Molybdenum disulfide transistors with all 2D material interfaces:device performance optimization, influences of interfaces and passivation layers
美國 (2023/08/31), 中華民國 (2023/10/26), 中國 (2024/08/01),
創作人: 林時彥,
檢視摘要
...
2
[專利]
無人機摧毀裝置
中華民國 (2022/03/03),
創作人: 周瑞仁,
檢視摘要
本新型為有關一種無人機摧毀裝置,主要包括有至少一擊發裝置、至少一彈體、一驅動源、一供電元件、一聲音偵測元件、一空氣偵測元件、一高度偵測元件、及一比對分析模組,當欲摧毀無人機時,擊發裝置發射出彈體,此時供電元件持續供電給聲音偵測元件、空氣偵測元件、及高度偵測元...
3
[專利]
無人機干擾裝置
中華民國 (2022/12/02), 中華民國 (2022/12/02), 中國 (2023/04/27),
創作人: 周瑞仁,
檢視摘要
本新型為有關一種無人機干擾裝置,主要結構包括至少一擊發裝置、至少一設於該擊發裝置內之彈體、及一設於該彈體內並於離開該擊發裝置時以該彈體為中心發出干擾源之干擾物。藉上述結構,使用者可利用擊發裝置向無人機附近發射彈體,使彈體在擊發後,利用干擾物發出干擾源,使無人機...
4
[專利]
Boost Converter Power Stage Circuit
中華民國 (2023/10/06), 美國 (2024/01/08),
創作人: 余昇翰, 蔡杰儒, 陳景然,
檢視摘要
...
5
[專利]
異質接面雙極性電晶體與基極集極漸變層
中華民國 (2023/07/19), 美國 (2024/05/02),
創作人:
黃建璋
, 吳育任, 陳子皓,
檢視摘要
...
6
[專利]
內嵌微流道的半導體晶片及其製造方法
美國 (2022/12/22), 中華民國 (2023/12/22), 美國 (2023/12/22),
創作人: 簡俊超, 翁維陽,
檢視摘要
...
7
[專利]
透明導電圖樣的形成方法
中華民國 (2022/08/30),
創作人: 莊嘉揚, 李明蒼,
檢視摘要
透明導電圖樣的形成方法包括以下步驟。提供基板。提供前驅物溶液,其中前驅物溶液包括形成透明導電圖樣的前驅物。前驅物通過電漿系統解離,並伴隨電漿系統產生的電漿噴出至基板。雷射光透過振鏡在基板上掃描,使受雷射光照射的基板被局部加熱。解離後的前驅物反應並沉積於被局部加...
8
[專利]
Straight {110} sidewalls of inner spacer by multiple layers
美國 (2022/08/17), 中華民國 (2023/05/24), 中國 (2023/07/24),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
9
[專利]
N/P multi-layers isolation of stacked transistors
美國 (2022/02/17), 中華民國 (2022/04/15), 美國 (2023/09/26), 美國 (2024/11/12),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
10
[專利]
A structure of interleaved complementary nanosheet
美國 (2022/02/22), 中華民國 (2022/04/15), 中國 (2022/06/10), 美國 (2024/07/30),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
11
[專利]
Resistive random-access memory based on layered metal halide
美國 (2022/02/25), 中華民國 (2022/04/21), 中國 (2023/01/18),
創作人:
吳志毅
,
檢視摘要
...
12
[專利]
熱載子太陽能電池及疊層太陽能電池
中華民國 (2022/06/08), 美國 (2022/10/06),
創作人:
林清富
, 張崇瀚,
檢視摘要
...
13
[專利]
全域式軸向可調色散鏡組及其彩色共焦量測系統
中華民國 (2022/02/23),
創作人: 陳亮嘉, 伍國瑋,
檢視摘要
本發明提供一種全域軸向色散可調色散鏡組包括有一光源模組、一第一折射鏡組以及一第二折射鏡組。該光源模組包括有一發光源以及一空間調製元件,用以將該發光源所產生的一寬頻光調製成複數道具有中心光軸與離軸的入射光。該第一折射鏡組接收該複數道具有中心光軸與離軸的入射光,...
14
[專利]
共軛光學模組、空間轉換光學模組以及其共軛光學之彩色共焦量測系統
中華民國 (2022/02/23),
創作人: 陳亮嘉, 伍國瑋, 周煜峰,
檢視摘要
本發明提供一種共軛光學之彩色共焦量測系統,包括有一光源模組用以產生一偵測光、一微透鏡陣列、一第一空間調製元件、一光學模組、一第二空間調製元件、一空間轉換模組以及一偵測模組。該微透鏡陣列設置於該偵測光的光路上,用以將該偵測光聚焦成一點光源陣列。該第一空間調製元...
15
[專利]
線形掃描彩色共焦量測系統
中華民國 (2022/02/23),
創作人: 陳亮嘉, 伍國瑋, 陳泓叡,
檢視摘要
本發明提供一種線形掃描彩色共焦量測系統, 包括有一光源模組、一光學模組、一光導引模組以及一偵測模組。該光源模組,用以產生一線形偵測光。該光學模組用以接收該線形偵測光,該光學模組具有一色散物鏡,用以接收該線形偵測光,並將該線形偵測色散形成複數道具有不同聚焦深度的...
16
[專利]
金屬-絕緣體-半導體結構之紅外光偵測技術
中華民國 (2021/12/06), 美國 (2022/11/28),
創作人: 蘇子鈞, 張仁耀,
林清富
,
檢視摘要
...
17
[專利]
高深寬比微結構光學量測系統
中華民國 (2022/02/23),
創作人: 陳亮嘉, 伍國瑋, 簡維信,
檢視摘要
一種高深寬比微結構光學量測系統,包括一光源模組、一光學鏡組以及空間調製元件,該光源模組具有一第一特徵尺寸以產生具有一第一發散角度的一偵測光,該光學鏡組接收該偵測光,並將該偵測光投射到一待測物上,該空間調製元件設置在光源模組與光學鏡組之間,該空間調製元件具有一第...
18
[專利]
High inter-channel uniformity of channel stacking by reverse-tapered fin
美國 (2022/06/01), 中華民國 (2023/04/21), 中國 (2023/05/09),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
19
[專利]
超穎介面急劇自聚焦光束產生裝置
中華民國 (2021/06/02), 美國 (2021/06/02),
創作人: 駱遠, 楊泮池, 蔡定平,
檢視摘要
本發明提供一種急劇自聚焦光束產生裝置,包括一光源模組、一超穎介面相位調製元件以及一聚焦透鏡。該光源模組,用以產生一入射光束。該超穎介面相位調製元件,具有用以接收該入射光數之一第一入光面以及一第一出光面,該第一出光面上具有複數個介面奈米結構,用以將該入射光束調製...
20
[專利]
形成接合結構的方法
中華民國 (2021/06/04), 美國 (2022/06/01),
創作人:
莊東漢
, 吳柏慶, 李珮螢, 賴鈺璋, 蔡幸樺, 周眾信,
檢視摘要
提供一種形成接合結構的方法,包括:提供第一金屬,其中第一金屬具有一第一絕對熔點;在第一金屬上形成銀奈米孿晶層,且銀奈米孿晶層包括平行排列孿晶界,其中平行排列孿晶界具有90%以上的[111]結晶方位;以及將銀奈米孿晶層與第二金屬相對接合,其中第二金屬具有第二絕...
21
[專利]
以適體修飾之生物感測器及其用途
美國 (2021/07/21),
創作人: 陳逸聰,
檢視摘要
Provided is a method of using an aptamer for detecting a glycated hemoglobin in a whole blood, the method includes that the aptame...
22
[專利]
Non-Hysteretic steep subthreshold swing of ferroelectric-antiferroelectric gate stack negative capacitance field effect transistors
美國 (2020/12/03), 中華民國 (2020/12/07), 中國 (2021/03/31), 美國 (2022/07/26), 美國 (2024/06/28),
創作人:
劉致為
, 李敏鴻,
檢視摘要
...
23
[專利]
半導體裝置
美國 (2019/02/01), 中國 (2019/03/25), 中華民國 (2019/04/09),
創作人: 綦振瀛, 鄒承翰, 陳仕鴻,
檢視摘要
本揭露提供半導體接觸結構、包含半導體接觸結構的半導體裝置及其製造方法。在實施方式中,半導體裝置包含基板上的通道層;通道層上的介面層,其中介面層包含鈦(Ti)且接觸通道層;以及在介面層上的接觸金屬層,其中接觸金屬層包含鋁矽銅合金(AlSiCu)。 Semicon...
24
[專利]
Ambient temperature inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition (ICPCVD) method for growth of graphene
美國 (2020/01/10), 中華民國 (2020/10/08), 中國 (2020/10/16),
創作人:
吳志毅
,
檢視摘要
...
25
[專利]
Semiconductor device having 2d channel layer
美國 (2019/12/19), 中華民國 (2020/12/17), 中國 (2020/12/18), 美國 (2022/05/27), 美國 (2023/11/20),
創作人:
吳志毅
,
檢視摘要
...
26
[專利]
高效率防水微螢光陣列薄膜之應用
中華民國 (2020/12/29), 美國 (2021/03/30), 中國 (2021/05/14),
創作人:
林清富
, 黃容寬, 黃騰毅, 林儀姍,
檢視摘要
本發明實施例提供發光薄膜、發光陣列薄膜、微發光二極體陣列與其製造方法。在一個實施例中,在基板上形成磊晶層,以及在磊晶層上形成薄膜轉換層。可透過微影製程(lithography)定義畫素,畫素的尺寸可以非常小。此製造方法不需要巨量轉移。所製作的發光薄膜及薄膜轉換...
27
[專利]
包含高折射率與低折射率導體互相穿插的奈米複合電極及其有機發光元件之應用
中國 (2016/05/27),
創作人: 吳忠幟, 陳建宇, 李偉愷, 林晃巖, 陳奕均,
檢視摘要
...
28
[專利]
電激發光裝置
中國 (2016/03/11),
創作人: 吳忠幟, 林俊佑, 李偉愷, 焦閔, 林晃巖,
蘇國棟
,
檢視摘要
...
29
[專利]
synthesis of large area 2Dmaterial on dielectric films by low temperature MW-PECVD
美國 (2022/01/25), 中華民國 (2022/03/22), 中國 (2022/04/19), 美國 (2024/06/28),
創作人:
吳志毅
,
檢視摘要
...
30
[專利]
The deposition of dielectric layers on 2D material surfaces and its application in transistors
美國 (2021/08/30), 中國 (2022/04/13), 中華民國 (2022/08/10), 美國 (2023/10/04),
創作人: 林時彥,
檢視摘要
...
31
[專利]
用以產生單一模態的雷射光的垂直共振腔面射型雷射裝置
美國 (), 中華民國 (2020/07/20),
創作人: 吳肇欣, 閔絲愉,
檢視摘要
...
32
[專利]
用以產生定頻的雷射光的電晶體
美國 (), 中華民國 (2020/07/14),
創作人: 吳肇欣, 董建廷, 張書維,
檢視摘要
...
33
[專利]
分布回饋雷射陣列
美國 (), 中華民國 (2020/07/27),
創作人: 吳肇欣, 羅傑, 洪盟淵,
檢視摘要
...
34
[專利]
用於產生兆赫輻射的裝置的製造方法
美國 (), 中華民國 (2020/07/24),
創作人: 吳肇欣, 林計堃,
檢視摘要
...
35
[專利]
偵測元件的測量方法
中華民國 (2020/06/24),
創作人:
林清富
, 黃瑀杰, 王家均,
檢視摘要
本發明實施例提供一種偵測元件的測量方法,能夠準確地獲得其響應值。...
36
[專利]
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
美國 (2020/04/09), 中華民國 (2021/01/28), 中國 (2021/03/31), 美國 (2022/01/27), 美國 (2023/05/25), 美國 (2025/01/03),
創作人:
陳敏璋
,
檢視摘要
一種製造半導體裝置的方法,包括形成鰭結構,鰭結構包括位於基板上方的交替堆疊的多個第一半導體層與多個第二半導體層。形成犧牲閘極結構於鰭結構上方。形成多個間隔物於犧牲閘極結構的任一側上。移除犧牲閘極結構以形成溝槽於間隔物之間。從溝槽移除第一半導體層,而留下第二半導...
37
[專利]
一种鲁棒性共轭对称光学元件及其设计方法
美國 (2020/01/16), 中華民國 (2021/01/13), 美國 (2021/01/14), 中國 (2021/01/14),
創作人: 薛文証, 林育全, 周詩涵,
檢視摘要
本揭示提供一種強健性共軛對稱光學元件,包含一第一光學胞元集、一中介物質、以及一第二光學胞元集。該第一光學胞元集包含NL個胞元,各該NL個胞元包含第一左半胞元及第一右半胞元,且該第一左半胞元包含第一NA個單元,且該第一右半胞元與該第一左半胞元具有一第一鏡像對稱...
38
[專利]
Area-selective Atomic Layer Deposition
美國 (2020/04/01), 中國 (2021/02/20), 中華民國 (2021/02/22), 美國 (2022/07/27), 美國 (2022/11/20),
創作人:
陳敏璋
,
檢視摘要
一種方法包括在晶片上形成虛設閘極結構。閘極間隔物形成在虛設閘極結構的任一側上。去除虛設閘極結構以在閘極間隔物之間形成閘極溝槽。在閘極溝槽中形成閘極介電層。在閘極介電層上方形成閘極。形成閘極介電層包括向晶片施加第一偏壓。在第一偏壓開啟的情況下,向晶片提供第一前驅...
39
[專利]
鈣鈦礦量子點膜的合成方法
中華民國 (2019/12/04), 美國 (2020/01/20),
創作人: 李翔傑,
檢視摘要
一種鈣鈦礦量子點膜的合成方法,其步驟如下。製備纖維素奈米晶體溶液。纖維素奈米晶體溶液包括具有硫酸基的多個纖維素奈米晶體。製備前驅劑溶液。混合纖維素奈米晶體溶液與前驅劑溶液,以形成混合溶液。過濾混合溶液並進行乾燥,以形成鈣鈦礦量子點膜。 Provided is...
40
[專利]
ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND DISPLAY PIXEL STRUCTURE USING THE SAME
美國 (2019/08/02),
創作人: 吳忠幟, 林晃巖,
蘇國棟
, 李偉愷, 陳奕均,
檢視摘要
The present invention discloses a general, highly effective and scalable extraction-enhancing OLED display pixel structure based o...
41
[專利]
生成過渡金屬硫化物的方法
中華民國 (2020/08/06),
創作人: 謝馬利歐, 謝雅萍, 邱聖貴, 劉重佑,
檢視摘要
本揭示內容中的一些實施方式中提供生成過渡金屬硫化物的方法,包含以下步驟:提供第一石墨層;形成過渡金屬氧化層於第一石墨層之第一表面上,獲得第二石墨層;提供第一基材;將鹼金屬鹵化物溶液塗佈於第一基材之第二表面上,獲得第二基材;第二石墨層及第二基材共同形成子疊層,...
42
[專利]
微發光二極體陣列與其製法
中國 (2020/05/27),
創作人:
林清富
, 林峻宇, 林儀姍,
檢視摘要
...
43
[專利]
具磁通平衡控制電路之LLC諧振轉換器
中華民國 (2019/03/15), 美國 (2019/07/24),
創作人: 林原郅, 陳景然,
檢視摘要
The present invention provides a LLC resonant converter with magnetic-flux balance control circuit. The LLC resonant converter com...
44
[專利]
微發光二極體陣列與其製法
中華民國 (2019/08/06), 美國 (2020/01/07), 德國 (2020/02/10), 美國 (2022/07/13),
創作人:
林清富
, 林峻宇, 林儀姍, 黃容寬,
檢視摘要
本發明實施例提供一種微發光二極體陣列與其製造方法,其包含基板,在基板上形成磊晶層,以及在磊晶層上形成薄膜轉換層。可透過微影製程(lithography)定義畫素,畫素的尺寸可以非常小。此製造方法的特徵是不需要巨量轉移。...
45
[專利]
III-V半導體鐵電異質結構
美國 (2018/12/28), 中國 (2019/07/10), 中華民國 (2019/07/17), 美國 (2020/11/03), 美國 (2024/05/20),
創作人:
陳敏璋
, 謝宗霖, 林柏廷,
檢視摘要
Techniques in accordance with embodiments described herein are directed to semiconductor devices including a layer of aluminum nit...
46
[專利]
鍺奈米片的結構和製程(Structure and Fabrication of Ge nanosheet for devices beyond 7 nm node)
美國 (2019/05/09), 中華民國 (2019/06/21), 中國 (2019/06/25), 美國 (2019/10/10),
創作人: 鄭鴻祥,
檢視摘要
本文描述了包含鍺奈米層片的元件。本文亦描述了用於形成此類鍺奈米層片的方法和包括此類鍺奈米層片的元件。...
47
[專利]
Ferroelectoricity and antiferroelectoricity in oxide thin films
美國 (2018/12/26), 中華民國 (2019/04/23), 中國 (2019/06/25), 美國 (2021/08/11), 美國 (2023/11/13),
創作人:
陳敏璋
, 易聖涵, 呂承軒,
檢視摘要
A method includes forming source/drain regions in a semiconductor substrate; depositing a zirconium-containing oxide layer over a ...
48
[專利]
ELECTROLUMINESCENT DEVICES WITH IMPROVED OPTICAL OUT-COUPLING EFFICIENCIES
美國 (2017/08/04),
創作人: 吳忠幟, 林俊佑, 李偉愷, 焦閔, 林晃巖,
蘇國棟
,
檢視摘要
An electroluminescent (EL) device is disclosed. An optically reflective concave structure includes a first surface and a second su...
49
[專利]
Method for reducing Schottky barrier height and semiconductor device with reduced Schottky barrier height
美國 (2018/04/27), 中華民國 (2018/06/25), 中國 (2018/06/29), 美國 (2020/10/05), 美國 (2022/08/09),
創作人: 鄭鴻祥,
檢視摘要
...
50
[專利]
熱載子光電轉換方法
美國 (2017/10/13),
創作人:
林清富
, 許紘彰,
檢視摘要
The present invention provides a hot-carrier photoelectric conversion method. The method includes a hot-carrier photoelectric conv...
51
[專利]
超寬頻誘發局域表面電漿共振結構之應用及其製程方法
中華民國 (2018/05/14), 美國 (2019/03/06), 中國 (2019/03/29), 德國 (2019/05/03), 英國 (2019/08/15), 法國 (2019/08/22), 新加坡 (2019/10/25), 日本 (2019/10/29), 韓國 (2019/10/31),
創作人:
林清富
, 莊閎傑, 林孟頡, 黃柏瑞,
檢視摘要
本發明一實施例提供一種利用金屬半導體界面的光偵測元件,可應用於紅外光的偵測。在另一實施例,該光偵測元件導入局域表面電漿共振結構,以提升元件的光電響應與偵測波長範圍。該光偵測元件可應用於量測各種入射光強度與量測可見光至中紅外光波段(300nm ~ 20μm)的入...
52
[專利]
電子束微影方法及其系統
中華民國 (2016/11/30), 美國 (2017/06/01),
創作人: 管傑雄, 粘群, 蘇文生, 張立成, 鍾政桓, 饒偉正, 葉修昀, 張韶文, 沈冠源,
檢視摘要
一種電子束微影方法,包含以下步驟。經由圖案尺寸模擬系統運算且輸出正型電子敏感層之顯影持續時間與電子束裝置之條件參數。低溫處理顯影液以冷卻顯影液。依據圖案尺寸模擬系統所輸出之條件參數,使用電子束以照射正型電子敏感層之曝光區。依據圖案尺寸模擬系統所輸出之顯影持續時...
53
[專利]
電激發光裝置
美國 (2016/10/24), 中華民國 (2016/10/27),
創作人: 吳忠幟, 焦閔, 李睿洋, 李偉愷,
檢視摘要
本發明揭露一種電激發光裝置,其包括具有一高於1.8的第一折射率nH的一高折射率層;一透明的第一電極,鄰接於高折射率層;鄰接於第一電極並相對於高折射率層的至少一功能層,且功能層包括一發光層,由發光層發出的光所具有的主波長為λ;及一第二電極,鄰接於該功能層並相對於...
54
[專利]
電激發光裝置
美國 (2016/10/24), 中華民國 (2016/10/27),
創作人: 吳忠幟, 呂睿洋, 李偉愷, 焦閔,
檢視摘要
一種電激發光裝置,包括一基板或超基板、一光學耦合結構、一第一電極、一功能材料堆疊,以及一第二電極。基板或超基板具有一外側表面及相反之一內側表面,光學耦合結構位於基板或超基板之外側表面。第一電極設置於基板或超基板之內側表面。第一電極為透明並且具有小於或等於1.7...
55
[專利]
Post Deposition N2 Annealing for Attaining Extremely Low High-κ/(In)GaAs Interfacial Trap Densties
美國 (2017/04/14), 中華民國 (2017/11/29), 中國 (2017/11/29), 美國 (2020/08/24),
創作人: 楊博宇, 盧冠傑, 鄭兆凱, 林延勳, 萬獻文, 林耕雍, 郭瑞年, 洪銘輝,
檢視摘要
一種用於製造半導體裝置之方法,包括在基板上形成半導體層,直接在所形成之半導體層上形成高介電常數介電層,以及對半導體層、高介電常數介電層、及基板進行退火。半導體層為第Ⅲ-V族化合物半導體。 A method for manufacturing a semicon...
56
[專利]
Single Crystal Perovskite Achieved by atomic Layer Deposition with Post-deposition Annealing
中華民國 (), 中國 (2017/06/01), 美國 (2017/09/15),
創作人: 洪銘輝,
檢視摘要
一種形成具有鈣鈦礦單晶結構的材料的方法,包括:交替地生長一第一層和一第二層在一基板上,其中,上述第一層與上述第二層的組成不同,且上述第一層及上述第二層為複數個;以及將上述第一層和上述第二層退火,形成一具有鈣鈦礦單晶結構的材料。...
57
[專利]
Spiroacridine-Triazine化合物及其電致發光元件應用
美國 (2016/05/09), 中華民國 (2017/05/09), 美國 (2017/05/09),
創作人: 汪根欉, 吳忠幟, Tanmay Chatterjee, 林庭安, 蔡維隆,
檢視摘要
本發明係關於化學式(I)所示的化合物,應用於電致發光裝置,特別是包含本發明的化合物之有機電致發光裝置。...
58
[專利]
(召回方案)同步测量绝对寻址距离与偏摆角度的光学系统与方法
中華民國 (2016/01/06), 中國 (2016/10/08),
創作人: 陳亮嘉, 尤澤龍,
檢視摘要
一種光學量測系統與方法,包括有聚焦透鏡、雙折射分光元件以及分光元件。該雙折射分光元件,用以將聚焦透鏡聚焦的光束分光,形成偏極態相互正交之第一與第二偏極光。該分光元件,用以將該第一與第二偏極光分光,使部分第一與第二偏極光由該分光元件反射形成第一與第二參考光,部...
59
[專利]
電激發光裝置
美國 (2016/05/24), 中華民國 (2016/05/27), 中國 (2016/05/27),
創作人: 吳忠幟, 陳建宇, 李偉愷, 林晃巖, 陳奕均,
檢視摘要
本發明揭露一種電激發光裝置,其包括一合成電極,其由表面具有奈米結構的第一層及位於奈米結構上的第二層所組成,其中第一層及第二層是透明導電的,且第一層及第二層之其一者的折射率小於或等於1.65,第一層及第二層之另一者的折射率大於或等於1.75;複數個功能層具有一發...
60
[專利]
光学系统及使用该系统的物体表面三维形貌侦测方法
中華民國 (2016/06/27), 中國 (2016/10/08),
創作人: 陳亮嘉, 阮忠德,
檢視摘要
本發明提供一種藉由同步多點光學掃描之高速全域式光學系統與物體表面或內部光反射介面(含物體之背面)三維形貌偵測方法。將光調制單元產生之至少一點光源投射至一物體表面或內部光反射介面(含物體之背面)的至少一位置。再以該影像擷取裝置接收由該至少一深度位置反射之至少一...
61
[專利]
塊材異質接面結構鈣鈦礦太陽能電池之製備方法
中華民國 (2017/06/16),
創作人: 林唯芳, 張峻瑜, 王捷平, 王立義, 芮斯年,
檢視摘要
本揭露係關於一種塊材異質接面結構鈣鈦礦太陽能電池之製備方法,包括下列步驟:提供一第一電極;於第一電極上形成一主動層;以及於主動層上形成一第二電極。其中,主動層可由下列步驟所製備:混合一鈣鈦礦前驅物、一鹵化富勒烯衍生物及一溶劑以形成一主動層前驅溶液,其中溶劑可...
62
[專利]
Self-focused ion beam lithography using dielectric lens
美國 (2015/09/14), 中國 (2016/07/13),
創作人:
高振宏
,
陳敏璋
, 楊博軒,
檢視摘要
A semiconductor device and method of manufacturing are presented in which features of reduced size are formed using an irradiated ...
63
[專利]
Semiconductor devices comprising 2d-materials and methods of manufacture thereof
美國 (2015/06/29), 韓國 (2015/11/23),
創作人: 林時彥,
檢視摘要
...
64
[專利]
半導體裝置結構
美國 (2016/01/06), 中華民國 (2016/12/22), 中國 (2016/12/30),
創作人: 林時彥, 吳崇榮, 劉繼文,
檢視摘要
提供半導體裝置結構,半導體裝置結構包含基底。半導體裝置結構包含半導體層位於基底上方,半導體層包含過渡金屬硫屬化物。半導體裝置結構包含源極電極和汲極電極位於半導體層上方並連接半導體層,且透過間隙彼此間隔開,源極電極和汲極電極由石墨烯製成。 A semicondu...
65
[專利]
電激發光裝置
美國 (2016/03/10), 中華民國 (2016/03/11),
創作人: 吳忠幟, 林俊佑, 李偉愷, 焦閔, 林晃巖,
蘇國棟
,
檢視摘要
本發明揭露一種電激發光裝置,其包括一光學反射之內凹結構及一或多個功能層。光學反射之內凹結構具有一第一表面及一第二表面,第一表面與第二表面具有一夾角,且第一表面及該第二表面具有光學反射性質。功能層具有一發光層,設置於光學反射之內凹結構上,其中至少一通電發光區被定...
66
[專利]
Electroluminescent Device with Improved Optical Out-Coupling Efficiencies
美國 (2015/10/15),
創作人: 吳忠幟, 黃奕翔, 蔡維隆, 焦閔, 李偉愷,
檢視摘要
An electroluminescent (EL) device is disclosed, comprising a first electrode, a second electrode, one or more functional layers, a...
67
[專利]
光譜分析裝置及其製造方法
中華民國 (2016/04/20),
創作人:
林清富
, 薛華毅, 陳立錚, 鄭竣中,
檢視摘要
本發明相關於一種光譜分析裝置及其製作方法,特別是有關一種非光子晶體共振腔搭配光偵測材料組成的高解析度光譜分析儀晶片及其製作方法。此光譜分析裝置包含一基板、至少一設置於基板上的光學共振腔、以及至少一光偵測材料區塊設置於基板上的特定區域,此光譜分析儀晶片不需形成Ⅲ...
68
[專利]
基於石墨烯具分段電位之磁穿隧接面中龐大磁阻裝置與方法
美國 (2014/10/20), 美國 (2015/10/20),
創作人: 薛文証,
檢視摘要
A graphene-based magnetic tunnel junction is disclosed. The magnetic tunnel junction can enhance the tunnel magnetoresistance rati...
69
[專利]
紅外線發射器
中華民國 (2014/08/14), 美國 (2014/12/04),
創作人: 李嗣涔, 陳鴻欣, 林世明,
檢視摘要
本創作提供一種紅外線發射器,包含:電池;載台,其中央具有凹槽,且該凹槽處形成有複數個孔洞;電阻絲,穿經該複數個孔洞以纏繞於該載台上,且該電阻絲之一端與該電池之負極電性連接,另一端與該電池之正極電性連接;以及紅外線晶片,係容設於該載台之凹槽中,並直接接觸該電阻絲...
70
[專利]
一種多節奈米柱之結構與製作方法
中華民國 (2014/03/11), 美國 (2014/04/30),
創作人:
楊志忠
, 廖哲浩, 杜長耕, 陳鴻祥, 蘇佳瑩,
檢視摘要
一種半導體發光元件,其包括基板、第一型摻雜半導體結構、發光層以及第二型摻雜半導體層。第一型摻雜半導體結構位於基板上且包括基底以及由基底向上延伸的多個多段式柱狀結構。各多段式柱狀結構包括多段柱狀體以及至少一連接部。連接部將相鄰兩段柱狀體沿第一方向串接,其中第一方...
71
[專利]
無機發光記憶體及其製造方法
中華民國 (2014/11/27), 美國 (2015/04/06),
創作人: 陳永芳, 賴盈至, 劉怡柔, 張哲瑋,
檢視摘要
本發明提供一種整合電阻式記憶體及無機發光元件之無機發光記憶體,此無機發光記憶體元件具有簡單的結構,且可使用現有技術製造。此新穎的無機發光記憶體。此無機發光記憶體可擴展到許多其它材料系統的實際應用,鑑於其整合發光及記憶體的獨特功能,而可應用於集成光電裝置、光通...
72
[專利]
一種金屬-矽基材結構的紅外光偵測器
美國 (2014/02/10), 中華民國 (2014/07/14), 美國 (2015/02/09),
創作人: 陳學禮, 林耕德, 賴宇紳, 游振傑,
檢視摘要
...
73
[專利]
具超晶格勢壘之磁穿隧接面及包含具超晶格勢壘磁穿隧接面之裝置
美國 (2014/01/24), 中華民國 (2014/04/16), PCT (2014/08/15), 美國 (2014/08/15),
創作人: 薛文証, 陳長鴻,
檢視摘要
本發明提供一種可提高穿隧磁阻率之磁穿隧接面及包含該磁穿隧接面之裝置。該磁穿隧接面包含:一固定層;一自由層;以及一超晶格勢壘,配置於該固定層及該自由層之間。該磁穿隧接面可能為前述基本形式之串接與並接。該包含磁穿隧接面之裝置可能為一種磁性隨機存取記憶體位元格、一...
74
[專利]
發光裝置及其製造方法
中華民國 (2006/06/14), 美國 (2006/11/02),
創作人: 李嗣涔, 蔡明瑋,
檢視摘要
本發明揭露一種發光裝置,其包含基板、第一金屬層以及紅外光發光元件。基板具有第一表面,並且第一金屬層形成於基板之第一表面上。紅外光發光元件形成於第一金屬層上,並且紅外光發光元件包含由介電層與第二金屬層所形成之介電金屬介面。本發明之第一金屬層係可有效抑制來自基板之...
75
[專利]
光偵測器
中華民國 (2014/01/13), 美國 (2014/08/26),
創作人: 李嗣涔, 陳鴻欣, 陳世晏,
檢視摘要
A photo detector is disclosed. The photo detector comprises a substrate, a flat metal layer, a dielectric layer, a patterned metal...
76
[專利]
一種金屬電極之快速製備方法
中華民國 (2014/05/06), 美國 (2014/12/05),
創作人: 陳奕君, 陳建彰,
徐振哲
, 劉筱薇, 周家筠,
檢視摘要
本發明提供一種自金屬前驅物溶液製備金屬之方法及其應用。利用大氣噴射電漿處理該前驅物溶液後,將可使之轉化成金屬。...
77
[專利]
一種石墨烯之快速電漿備製方法
中華民國 (2014/04/30), 美國 (2015/04/30),
創作人: 陳奕君, 陳建彰,
徐振哲
, 周必泰, 劉筱薇, 張浩銘, 梁聖彬,
檢視摘要
A method and apparatus for treating graphene raw material by plasma, and an application thereof are provided. After treated by the...
78
[專利]
Quantum dot infrared photodetector
美國 (2013/06/11),
創作人: 李嗣涔, 李政暵, 吳宗銘,
檢視摘要
A quantum dot infrared photodetector (QDIP) that can enhance the photocurrent to a greater level than the dark current and/or can ...
79
[專利]
半導體發光元件及其製作方法
中華民國 (2012/08/10), 美國 (2012/09/13),
創作人:
楊志忠
, 廖哲浩, 丁紹瀅, 陳鴻祥, 張文明, 姚毓峰, 陳志諺 , 陳浩宗 ,
檢視摘要
一種半導體發光元件及其製作方法。半導體發光元件包括第一型摻雜半導體結構、發光層、第二型摻雜半導體層、第一導電層以及介電質層。第一型摻雜半導體結構包括底部以及由底部向外延伸的多個柱狀體。各柱狀體包括頂面以及多個側壁面。發光層配置於側壁面以及頂面上。發光層的表面積...
80
[專利]
半導體元件及其製造方法
中華民國 (2012/04/03), 美國 (2012/05/27),
創作人:
楊志忠
, 陳鴻祥, 丁紹瀅, 廖哲浩, 陳志諺, 謝劼, 陳浩宗, 姚毓峰, 葉東明,
檢視摘要
一種半導體元件及其製造方法,其中半導體元件的製造方法包括以下步驟。於一基板上形成一半導體層,其中半導體層具有一頂面以及一相對頂面之底面。底面與基板接觸,而頂面有多個孔洞,且孔洞由頂面往底面延伸。製備一溶液,其中溶液包括多個奈米顆粒。使奈米顆粒填充於孔洞中。在填...
81
[專利]
半導體元件及其製造方法
中華民國 (2013/10/03), 美國 (2013/11/29),
創作人:
楊志忠
, 陳鴻祥, 丁紹瀅, 廖哲浩, 陳志諺, 謝劼, 陳浩宗, 姚毓峰, 葉東明,
檢視摘要
A semiconductor device including a Si (110) substrate, a buffer layer, a first type doped semiconductor layer, a light-emitting la...
82
[專利]
於矽基板上成長氮化物的製作方法
中華民國 (2012/02/16), 美國 (2012/04/10),
創作人:
楊志忠
, 陳志諺,
檢視摘要
一種於矽基板上成長氮化物的製作方法,其包括以下步驟。提供一矽基板。形成一緩衝層於矽基板上,在緩衝層的成膜過程中包括多階段的溫度調變,且各階段的溫度調變包括逐步遞減。形成一氮化物於緩衝層上。 The invention is directed to a m...
83
[專利]
太陽能電池及其製程
中華民國 (2012/09/19),
創作人:
吳志毅
, 曾維宣,
檢視摘要
本發明係提供一種有機高分子太陽能電池及其製法,該太陽能電池係包括:第一電極、電洞傳輸層、主動層、緩衝層、及第二電極,其特徵在於,該緩衝層係位於該主動層與該第二電極之間,且包括與該主動層之至少一成分為相同之成分。 This invention provides...
84
[專利]
有機發光二極體及其製作方法
中華民國 (2011/06/22),
創作人:
吳志毅
, 王博昇,
檢視摘要
一種有機發光二極體及其製作方法。此方法是先於基板上形成第一電極。然後,於第一電極上形成電洞注入層,其中電洞注入層含有氧原子。接著,對電洞注入層進行表面處理,以降低電洞注入層的鄰近表面部分的氧原子含量。而後,於電洞注入層上形成有機發光層。之後,於有機發光層上形成...
85
[專利]
有機發光二極體的製作方法
中華民國 (2011/05/04),
創作人:
吳志毅
, 王博昇,
檢視摘要
一種有機發光二極體的製作方法,此方法是先於基板上形成第一電極。第一電極的材料為鋁。然後,於第一電極上形成電子注入層。電子注入層的材料為氟化鋰。接著,於電子注入層上形成三(8-羥基)鋁層。之後,於三(8-羥基)鋁層上形成第二電極。此外,在形成第二電極之後...
86
[專利]
基於圖案製作真確度之圖案製作系統設計方法與裝置
中華民國 (2011/07/22), 美國 (2012/05/23),
創作人:
蔡坤諭
, 陳勝勇, 伍海濤, 馬學億,
檢視摘要
一種直接考慮圖案製作真確度之圖案製作系統的設計方法。依據一組設計參數模擬目標圖案的製作結果以得到一模擬圖案。藉由比較目標圖案與該模擬圖案,以計算出一圖案製作真確度,並依據目標圖案製作真確度調整圖案製作系統的設計參數,以最佳化該圖案製作系統之設計參數。 A...
87
[專利]
粒子束狀態改變監測系統及其方法
美國 (2011/11/02), 中華民國 (2011/11/02),
創作人:
蔡坤諭
, 陳勝勇,
顏家鈺
, 陳永耀, 范期翔,
檢視摘要
本發明提供一種一或多道粒子束的狀態改變監測系統,其包括複數個粒子感測器及一監測單元,其中一或多道粒子束撞擊至一待寫基板。該等粒子感測器感測自該基板反彈的該一或多道粒子束,以產生一或多個感測訊號。該監測單元根據該一或多個感測訊號估測該一或多道粒子束的狀態變化。藉...
88
[專利]
粒子束狀態改變之估測裝置及其方法
美國 (2011/11/02), 中華民國 (2011/11/04),
創作人:
蔡坤諭
, 陳勝勇,
檢視摘要
本發明揭露一種估測一或多道粒子束狀態改變之裝置,該裝置包含多個粒子感測器以及一估測單元,其中一或多道粒子束撞擊至一基板。粒子感測器偵測從該基板反彈之該一或多道粒子束,並對應產生一或多個感測器信號。估測單元根據該一或多個感測器信號執行一數值規劃方法,以估測該一或...
89
[專利]
於一基板上製作圖案時之粒子束狀態調整
美國 (2011/11/01), 中華民國 (2011/11/04),
創作人:
蔡坤諭
, 陳勝勇,
檢視摘要
本發明揭露一種調整一或多道粒子束狀態之系統,該系統包含多個粒子感測器、一估測單元以及一控制器,其中一或多道粒子束撞擊至一基板。粒子感測器偵測從該基板反彈之該一或多道粒子束,並對應產生一或多個感測器信號。估測單元根據該一或多個感測器信號執行一數値方法,以估測該一...
90
[專利]
據模式製程鄰近效應修正方法與裝置
美國 (2012/07/06),
創作人:
蔡坤諭
, 黃飛歷, 蘇義盛,
檢視摘要
A method for compensating an effect of a patterning process is illustrated. The main concept of the method for compensating the ef...
91
[專利]
光學系統可製造性判斷之分析方法與裝置
美國 (2012/05/03),
創作人:
蔡坤諭
, 謝偉志, 張伯森,
檢視摘要
A method of manufacturing an optical system is described. The method comprises designing at least one performance specification fo...
92
[專利]
發光元件之製作方法
中華民國 (2010/09/16), 中華民國 (2010/12/13), 美國 (2011/03/15),
創作人:
楊志忠
, 林政宏, 陳志諺, 廖哲浩, 謝吉力,
檢視摘要
本發明提供一種發光元件之製作方法,包括:提供一第一基板;形成複數個圖案化罩幕層於該第一基板上方或蝕刻該第一基板形成複數個溝槽;以磊晶側向生長(epitaxial lateral overgrowth)方法成長一磊晶層於第一基板上方;形成一發光二極體結構於磊晶層...
93
[專利]
發光元件
中華民國 (2009/06/16), 美國 (2009/08/19),
創作人:
楊志忠
, 盧彥丞, 沈坤慶, 蔡富吉, 王志洋, 林政宏, 呂志鋒, 陳正言, 江衍偉,
檢視摘要
一種發光元件,包括一發光單元和一表面電漿耦合單元,表面電漿耦合單元包括一金屬結構和一中間層,其中間層連接金屬結構和發光單元,中間層在低頻電流係可導電,且在波長100nm~20000nm之發光範圍內具有介電材料之光學特性。 A light-emitting...
94
[專利]
粒子束微影鄰近應修正方法
中華民國 (2011/07/05), 美國 (2012/02/17),
創作人:
蔡坤諭
, 劉俊宏 , 黃飛歷 , 田沛霖 ,
檢視摘要
A method for compensating proximity effects of particle beam lithography processes is provided. The method includes the follow...
95
[專利]
發光元件及其製造方法
中華民國 (2008/03/05), 中華民國 (2008/03/26),
創作人:
楊志忠
, 葉東明 , 林政宏 , 葉東明 ,
檢視摘要
本發明提供一種發光元件之製作方法,包括以下步驟:提供一發光單元,至少包括一半導體層,提供一光調制單元(optical modulation element),以一光束通過光調制單元形成干涉條紋,照射於發光元件之第一型半導體層上,藉由干涉條紋,進行一光輔助電化學...
96
[專利]
標示語言文件存取的輔助方法及裝置
中華民國 (2009/05/04), 美國 (2009/07/28),
創作人: 潘聖文,
王勝德
,
檢視摘要
一種標示語言文件存取的輔助方法及裝置。首先建立中介表格至儲存單元。中介表格包括長度欄位、深度欄位、類型欄位、父元素欄位以及偏移欄位。接著,轉換標示語言文件中的元素的結構資料至中介表格,以將各元素的字串長度、階層深度、元素類型、父元素索引值以及絕對位置分別儲存至...
97
[專利]
週期性結構之製作方法、發光元件之製作方法及製髼作光電子元件之設備
美國 (2008/05/06),
創作人:
楊志忠
, 陳正言, 葉東明, 林政宏,
檢視摘要
本發明提供一種發光元件之製作方法,包括以下步驟:提供一發光單元,至少包括一半導體層,提供一光調制單元(optical modulation element),以一光束通過光調制單元形成干涉條紋,照射於發光元件之第一型半導體層上,藉由干涉條紋,進行一光輔助電化學...
98
[專利]
白光發光二極體、改善白光發光二極體之方法
中華民國 (2008/06/06),
創作人:
楊志忠
, 葉東明 , 黃吉豐 ,
檢視摘要
一種發光元件,包括一發光單元,及一包括複數個半導體奈米晶體和複數個金屬奈米粒子之波長轉換層,位於發光單元上。...
99
[專利]
發光元件、發光二極體及發光元件之製造方法
中華民國 (2007/11/01), 美國 (2008/03/25),
創作人:
楊志忠
, 葉東明 , 陳正言 , 盧彥丞 , 沈坤慶 , 黃吉豐 ,
檢視摘要
一種發光元件,包括一發光單元,及一表面電漿耦合單元,與發光單元連結。發光單元包括一第一型半導體層、一位於第一型半導體層上之主動層,及一位於主動層上之第二型半導體層。在一實施例中,表面電漿耦合單元為一金屬層,且金屬層接觸第二型半導體層。在另一實施例中,金屬層和第...
100
[專利]
環境光偵測器(刪除一種使用能隙工程所設計的砷化鋁鎵)
中華民國 (2007/01/30), 美國 (2007/05/04),
創作人:
林浩雄
, 馬大鈞 , 林佑儒 , 王俊評 , 黃正宏 ,
檢視摘要
一種環境光偵測器,包括:一基底;一形成於該基底上之緩衝層;一用以吸收人眼可視之可見光,並形成於該緩衝層上之吸收層,其係為一包含一成分漸變層之中性層(Intrinsic)的PIN結構;以及一用以濾去紅外光及人眼反應不敏感之高能光子,並形成於該吸收層上之濾光層。本...