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1
[專利]
無人機干擾裝置
中華民國 (2022/12/02), 中華民國 (2022/12/02), 中國 (2023/04/27),
創作人: 周瑞仁,
檢視摘要
...
2
[專利]
金屬半導體接面太陽能電池
中華民國 (2022/06/08), 美國 (2022/10/06),
創作人:
林清富
, 張崇瀚,
檢視摘要
...
3
[專利]
金屬-絕緣體-半導體結構之紅外光偵測技術
中華民國 (2021/12/06), 美國 (2022/11/28),
創作人: 蘇子鈞, 張仁耀,
林清富
,
檢視摘要
...
4
[專利]
美國 (2016/05/10), 中華民國 (2016/11/03), 中國 (2016/12/30), 美國 (2018/07/31), 美國 (2020/04/14),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
5
[專利]
Aptamer-Based Biosensor and Uses Thereof
美國 (2021/07/21),
創作人: 陳逸聰,
檢視摘要
...
6
[專利]
應用於無線通訊系統之可延展相位陣列系統
美國 (2021/03/18), 美國 (2022/03/17), 中華民國 (2022/03/18),
創作人: 李俊興, 邱品鈞,
檢視摘要
...
7
[專利]
美國 (2019/06/17),
創作人: 鄒亞叡, 羅宗祐,
劉致為
,
檢視摘要
...
8
[專利]
美國 (2019/09/16),
創作人: 羅宗祐, 鄒亞叡,
劉致為
,
檢視摘要
...
9
[專利]
Semiconductor contact structure, semiconductor device, and method for forming the same
美國 (2019/02/01), 中國 (2019/03/25), 中華民國 (2019/04/09),
創作人: 綦振瀛, 鄒承翰, 陳仕鴻,
檢視摘要
...
10
[專利]
創作人: 胡振國, 許庭昊,
檢視摘要
...
11
[專利]
美國 (2019/08/22),
創作人: 黃智雄, 蔡仲恩,
劉致為
,
檢視摘要
...
12
[專利]
美國 (2020/04/16),
創作人: 蔡仲恩, 鍾嘉哲,
劉致為
,
檢視摘要
...
13
[專利]
美國 (2020/07/30),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
14
[專利]
偵測元件的測量方法
中華民國 (2020/06/24),
創作人:
林清富
, 黃瑀杰, 王家均,
檢視摘要
...
15
[專利]
微機電接觸表面檢測方法
美國 (2020/07/02), 美國 (2020/12/07),
創作人: 李尉彰, 蔡淳樸, 王宣緯,
檢視摘要
...
16
[專利]
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
創作人:
陳敏璋
,
檢視摘要
...
17
[專利]
創作人:
陳敏璋
,
檢視摘要
...
18
[專利]
生成過渡金屬硫化物的方法
中華民國 (2020/08/06),
創作人: 謝馬利歐, 謝雅萍, 邱聖貴, 劉重佑,
檢視摘要
...
19
[專利]
III-V半導體鐵電異質結構
美國 (2018/12/28), 美國 (2020/11/03),
創作人:
陳敏璋
, 謝宗霖, 林柏廷,
檢視摘要
...
20
[專利]
鐵電電感材料與元件
美國 (2019/07/16),
創作人:
陳敏璋
, 鄭柏賢, 殷瑀彤,
檢視摘要
...
21
[專利]
半导体器件及形成方法
美國 (2013/07/02), 中國 (2014/09/17),
創作人: 廖洺漢,
檢視摘要
...
22
[專利]
(07B-170855) 生物傳感器裝置
中華民國 (2016/12/28), 美國 (2016/12/28), 中國 (2017/11/16),
創作人: 林致廷, 呂學士, 王益舜, 黃哲偉, 陳又豪, 周聖燁, 嚴沛文,
檢視摘要
...
23
[專利]
超寬頻誘發局域表面電漿共振結構之應用及其製程方法
中華民國 (2018/05/14), 美國 (2019/03/06), 中國 (2019/03/29), 德國 (2019/05/03), 英國 (2019/08/15), 法國 (2019/08/22), 新加坡 (2019/10/25), 日本 (2019/10/29), 韓國 (2019/10/31),
創作人:
林清富
, 莊閎傑, 林孟頡, 黃柏瑞,
檢視摘要
本發明一實施例提供一種利用金屬半導體界面的光偵測元件,可應用於紅外光的偵測。在另一實施例,該光偵測元件導入局域表面電漿共振結構,以提升元件的光電響應與偵測波長範圍。該光偵測元件可應用於量測各種入射光強度與量測可見光至中紅外光波段(300nm ~ 20μm)的入...
24
[專利]
半導體技術節點研究
美國 (2014/04/04),
創作人: 廖洺漢,
檢視摘要
半導體技術...
25
[專利]
適用於未來軟體定義網路的三元內容可定址記憶體
美國 (2016/08/04), 中華民國 (2017/02/09), 美國 (2017/03/23),
創作人: 吳安宇, 陳庭笙, 李鼎元, 劉宗德,
檢視摘要
The present disclosure illustrates a ternary content addressable memory (TCAM) device for software defined networking and method t...
26
[專利]
電子束微影方法及其系統
中華民國 (2016/11/30), 美國 (2017/06/01),
創作人: 管傑雄, 粘群, 蘇文生, 張立成, 鍾政桓, 饒偉正, 葉修昀, 張韶文, 沈冠源,
檢視摘要
一種電子束微影方法,包含以下步驟。經由圖案尺寸模擬系統運算且輸出正型電子敏感層之顯影持續時間與電子束裝置之條件參數。低溫處理顯影液以冷卻顯影液。依據圖案尺寸模擬系統所輸出之條件參數,使用電子束以照射正型電子敏感層之曝光區。依據圖案尺寸模擬系統所輸出之顯影持續時...
27
[專利]
Post Deposition N2 Annealing for Attaining Extremely Low High-κ/(In)GaAs Interfacial Trap Densties
美國 (2017/09/15), 中華民國 (2017/11/29), 中國 (2017/11/29),
創作人: 洪銘輝,
檢視摘要
...
28
[專利]
Single Crystal Perovskite Achieved by atomic Layer Deposition with Post-deposition Annealing
美國 (2017/04/14), 中華民國 (2017/06/01), 中國 (2017/06/01),
創作人: 洪銘輝,
檢視摘要
...
29
[專利]
Precise Digital Etching with High Conformity
美國 (2016/06/03), 中華民國 (2016/11/09), 中國 (2017/05/17),
創作人:
陳敏璋
, 鄭柏賢,
檢視摘要
...
30
[專利]
(召回方案)同步测量绝对寻址距离与偏摆角度的光学系统与方法
中華民國 (2016/01/06), 中國 (2016/10/08),
創作人: 陳亮嘉, 尤澤龍,
檢視摘要
光學量測...
31
[專利]
半導體結構與其製造方法
中華民國 (2016/07/12), 中國 (2016/07/12),
創作人: 蔡佳勳, 陳鼎鈞,
楊宏智
, 唐肇蔚, 黃希哲,
檢視摘要
半導體結構及其製造方法...
32
[專利]
光學系統及使用該系統之物體表面或內部光反射介面三維形貌偵測方法
中華民國 (2016/06/27), 中國 (2016/10/08),
創作人: 陳亮嘉, 阮忠德,
檢視摘要
晶圓量測...
33
[專利]
美國 (2015/06/29), 韓國 (2015/11/23),
創作人: 林時彥,
檢視摘要
...
34
[專利]
Transition metal dichalcogenide transistors with nanometer-size channel lengths fabricated on 2-D crystal hetero-structures
美國 (2016/01/06), 中華民國 (2016/12/22), 中國 (2016/12/30),
創作人: 林時彥, 吳崇榮, 劉繼文,
檢視摘要
...
35
[專利]
半導體器件和晶體管
美國 (2015/05/15), 中國 (2015/11/27),
創作人:
劉致為
,
檢視摘要
...
36
[專利]
連接電子元件之結構與方法
美國 (2015/07/17), 中華民國 (2016/02/22), 中華民國 (2016/02/22), 美國 (2017/08/22),
創作人:
高振宏
, 洪漢堂, 楊竣翔, 陳彥彬,
檢視摘要
...
37
[專利]
一種金屬-矽基材結構的紅外光偵測器
美國 (2014/02/10), 中華民國 (2014/07/14), 美國 (2015/02/09),
創作人: 陳學禮, 林耕德, 賴宇紳, 游振傑,
檢視摘要
...
38
[專利]
美國 (2012/11/09),
創作人: 江介宏, 鍾逸亭,
檢視摘要
A functional timing analysis method, executed in a computing device, comprises: step A: obtaining a circuit; step B: selecting a t...
39
[專利]
氣體偵測系統以及用於氣體偵測系統之發光元件
中華民國 (2012/11/15), 美國 (2013/03/18),
創作人: 李嗣涔, 陳鴻欣, 陳俊翰, 蔡尚儒, 林世明,
檢視摘要
本發明提供一種氣體偵測系統,包括:一殼體、一氣體輸入埠、一氣體輸出埠、一發光元件以及一光偵測器。其中該殼體內部具有一中空的腔體;該氣體輸入埠設置在該殼體上,該氣體輸入埠用以讓一待測氣體輸入至該腔體中;該氣體輸出埠設置在該殼體上,該氣體輸出埠用以讓該待測氣體從該...
40
[專利]
寬頻低雜訊放大器之設計方法
中華民國 (2011/10/06),
創作人: 羅育聰 ,
江簡富
,
檢視摘要
本發明係為一種寬頻低雜訊放大器之設計方法,其係配合模擬軟體進行之,寬頻低雜訊放大器之設計方法主要是在共閘極放大電路和共源極放大電路間串聯一中間匹配電路,並根據預定的設計頻段以推導出共振頻率,並在選擇共閘極放大電路及共源極放大電路的電晶體規格及偏壓後,再藉由阻抗...
41
[專利]
金氧半結構的記憶元件及其製造方法
中華民國 (2011/07/21),
創作人: 陳姿妤 , 胡振國 ,
檢視摘要
一種金氧半結構的記憶元件及其製造方法,透過施加正負偏壓於金氧半結構中的氧化層來改變氧化層中的負電荷分布,以便根據邊際電場效應的變化得到兩個穩定的電流狀態特性,用以達成降低製造成本及提升與互補式金氧半整合的便利性之技術功效。 A memory device b...
42
[專利]
動態調整通道方向之方法及使用其之晶片網路架構
中華民國 (2009/09/14), 美國 (2010/01/08),
創作人: 籃英誠, 羅士欣, 陳少傑 ,
檢視摘要
一種動態調整通道方向之方法及使用其之晶片網路架構,此可動態調整通道方向之晶片網路架構係包括第一通道、第一路由器與第二路由器。第一通道係具有第一傳輸方向。此第一路由器係於接收到第一資料時產生及輸出第一輸出要求。第二路由器係透過第一通道與第一路由器作連結,且於接收...
43
[專利]
運用可同步誘導電路的主動式積體電路量測技術
中華民國 (2009/11/10), 美國 (2010/06/18),
創作人: 甘家兆 , 江介宏 ,
檢視摘要
本發明的一實施例為一種具有矽智財保護的積體電路,包括一硬體矽智財、一識別碼產生器以及一鎖定電路。識別碼產生器,根據每一製造出的該硬體矽智財產生一識別碼(ID)。鎖定電路,用以鎖定該硬體矽智財,且當該鎖定電路接收到對應到該識別碼的一金鑰時,鎖定電路將製造出的該硬...
44
[專利]
負迴授式高寬頻信號放大器電路
中華民國 (2008/01/21), 美國 (2008/06/19),
創作人: 李偉暘,
江簡富
,
檢視摘要
一種負回授式超寬頻信號放大器電路,其可應用於整合至一超寬頻(ultra-wide band,UWB)之電路系統,用來對超寬頻之電子信號提供一低雜訊之增益放大功能;且其電路架構的特點包括:於輸入端設置一雙階式濾波電路單元、於電晶體放大電路架構中設置電阻式之回授電...
45
[專利]
金氧半導體元件中矽半導體與閘極絕緣層介面品質檢測系統與方法
中華民國 (2001/12/21), 美國 (2002/06/19),
創作人:
陳敏璋
,
林清富
,
劉致為
, 李敏鴻 , 張書通 ,
檢視摘要
一種金氧半導體元件中矽半導體與閘極絕緣層介面品質的檢測方法,其係施加一電流經由閘極至一金氧半導體元件,並偵測該金氧半導體元件承受該電流後,所產生至少一對應於矽能帶能量的紅外線輻射之電激發光訊號,然後輸出該電激發光訊號的強度與時間之關係,以藉由分析矽半導體中的少...
46
[專利]
電感切換式雙頻帶電壓控制振盪器電路
中華民國 (2007/12/03), 中華民國 (2008/01/25), 美國 (2008/06/19),
創作人: 李偉暘 ,
江簡富
,
檢視摘要
一種電感切換式雙頻帶電壓控制振盪器電路,其可整合至一超寬頻之電路系統,用來提供一電壓控制式之雙頻帶振盪信號輸出功能;且其特點在於採用一切換式電感性電路架構來取代先前技術之切換式電容性電路架構,並將其整合至一固定式之電容性電路架構來構成一可變換電感值之諧振電路架...
47
[專利]
使用切換電容校正注入式鎖定除頻器之5GHz CMOS頻率合成器(電晶體壓控振盪器及具有該電晶體壓控振盪器之頻率合成器)
中華民國 (2007/11/30), 美國 (2008/03/14),
創作人: 鄧平援 ,
江簡富
,
檢視摘要
一種電晶體壓控振盪器及具有該電晶體壓控振盪器之頻率合成器,其中,該頻率合成器係採用一除五之注入式鎖定除頻器,該注入式鎖定除頻器係包含一五級反相器環型振盪除頻電路,以降低該振盪訊號之操作頻率,進而避免鎖相迴路頻率合成器因計數次數過多,導致能量之過度損耗;又該電晶...
48
[專利]
使用LC共振器之24GHz CMOS低介入損失單刀單擲切換開關
中華民國 (2008/01/25), 美國 (2008/06/19),
創作人: 鄧平援 ,
江簡富
,
檢視摘要
一種電晶體單刀單擲電路裝置,係至少包括一具有第一電晶體以及第二電晶體之電晶體單刀單擲電路,以及一電感電容(LC)共振器,該LC共振器之電感與電容係為一串聯架構,且該LC共振器之兩端係連接於第一電晶體之第一源極與第一汲極。又該電晶體單刀單擲電路裝置係採用一電感與...
49
[專利]
電感耦合回授型直接注入鎖定式除頻電路
中華民國 (2007/10/18), 美國 (2008/06/23),
創作人: 李偉暘 ,
江簡富
,
檢視摘要
一種電感耦合回授型直接注入鎖定式除頻電路,其可應用於整合至一24GHz(gigahertz)電路系統,用來對超寬頻電子信號提供一除頻功能。此除頻電路的構造至少包含:一注入鎖定式除頻器電路(Injection-Locked Oscillator,ILO)和一對緩...
50
[專利]
低雜訊放大器
中華民國 (2008/01/25), 美國 (2008/06/12),
創作人: 鄧平援 ,
江簡富
,
檢視摘要
一種低雜訊放大器,係包括第一、第二、第三級放大器、輸入匹配網路、中間級匹配網路、以及輸出匹配網路,其中,輸入匹配網路之阻抗係與第一級放大器之輸入阻抗共軛匹配,以降低系統功效消耗及雜訊係數,並由三級放大器串接提升系統增益。 A low-noise amplif...
51
[專利]
電晶體壓控震盪器
中華民國 (2007/11/15), 美國 (2008/03/14),
創作人: 鄧平援 ,
江簡富
,
檢視摘要
一種電晶體壓控振盪器,本發明揭露之電晶體壓控振盪器,於原本一包含第一電晶體與第二電晶體之交叉耦合式電感電容槽(LC-tank)電晶體壓控振盪電路,搭配一包含第三電晶體與第四電晶體之電晶體倍頻電路。首先將第一閘極連接第二汲極,第二閘極連接第一汲極;復使第三源極連...
52
[專利]
高效率矽發光二極體及其製造方法
中華民國 (2010/04/02), 美國 (2010/10/04),
創作人:
陳敏璋
,
檢視摘要
...
53
[專利]
半導體奈米結構及其製作方法
中華民國 (2011/11/21),
創作人: 陳學禮, 曾紹欽, 游振傑, 劉浩偉,
檢視摘要
一種半導體奈米結構的製作方法,其步驟包括:提供具有原生氧化層之基板;形成金屬薄膜在具有原生氧化層之基板上,使得金屬薄膜內之部份金屬原子穿過原生氧化層沉積於基板內且位於基板之表面下方以形成觸媒層;剝除在基板上之金屬薄膜,以形成具有觸媒層之半導體奈米結構。...
54
[專利]
METHOD FOR SELF-ASSEMBLING MICROSTRUCTURES
美國 (2005/07/05),
創作人: 吳恩柏, 張家壽,
檢視摘要
一種微小結構的自組裝方法,其係使用一接合材料使該微小結構藉由一物理性吸引力接合於基材上。接著,再進一步藉由焊料凸塊經迴焊形成一焊料球,使該微小結構進行自對位組裝,藉以使微小結構得以永久性的接合於基材上,並形成電性連接。根據本發明所指出的方法無需使用傳統的取放裝...
55
[專利]
防止金屬遷移的電子封裝件
中華民國 (2009/01/16),
創作人:
高振宏
, 朱瑾, 莊鑫毅, 林宗新,
檢視摘要
本發明提供一種防止金屬遷移的電子封裝件,包含至少一電子晶片、一基板、複數擴散阻絕層,及複數電連接塊,該電子晶片具有複數金屬墊,該基板具有一預定電路,且該等擴散阻絕層是形成於該預定電路上,並包括至少一Cu100-x-yRuxNy之組成物,以原子百分比計,0<x≦...
56
[專利]
以液相陽極氧化技術成長高介常數閘極介電質之方法
中華民國 (2002/06/10), 美國 (2002/07/17),
創作人: 胡振國, 林彥伯, 黃思維,
檢視摘要
一種以液相陽極氧化技術成長高介電常數閘極介電質之方法,係先於一乾淨的矽基板表面上成長金屬薄膜,接著以液相陽極氧化法將該金屬薄膜氧化成金屬氧化物作為閘極氧化層,然後經過一道熱退火處理以提升氧化層品質;利用該技術可成長高品質、高介電常數、超薄等效氧化層厚度(Equ...
57
[專利]
金氧半穿隧二極體溫度感應器及其製造方法
中華民國 (2001/10/31),
創作人: 胡振國, 施彥豪,
檢視摘要
本發明提供一種可整合於晶片內之金氧半穿隧二極體溫度感應器及其製造方法。本發明之金氧半穿隧二極體溫度感應器乃是採用與CMOS製程相容的製程,因此其可與 MOS元件一起形成而整合於一積體電路晶片中。利用金氧半結構穿隧二極體具有的二極體特性,對金氧半結構穿隧二極體施...
58
[專利]
太陽能電池之金屬薄膜電極及其形成方法
中華民國 (2008/11/02),
創作人: 陳學禮, 莊尚餘, 李紋豪, 林唯芳,
檢視摘要
本發明揭露一種藉由微影技術(lithography)所製成的太陽能電池之金屬薄膜電極,上述金屬薄膜電極之厚度係能為5nm~500nm,且具有一穿透性孔洞陣列,藉此提高金屬薄膜電極之光穿透率,上述金屬薄膜電極之光穿透率能達40%~90%。 ...
59
[專利]
一種微小結構自組裝的方法
中華民國 (2005/03/11), 美國 (2007/10/02),
創作人: 吳恩柏, 張家壽,
檢視摘要
一種微小結構的自組裝方法,其係使用一接合材料使該微小結構藉由一物理性吸引力接合於基材上。接著,再進一步藉由焊料凸塊經迴焊形成一焊料球,使該微小結構進行自對位組裝,藉以使微小結構得以永久性的接合於基材上,並形成電性連接。根據本發明所指出的方法無需使用傳統的取放裝...