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 於非SOI基板上製作矽波導之方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
於非SOI基板上製作矽波導之方法 |
| ‧ 專利證書號 |
8889017B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2011/10/12)
美國 (2012/04/27)
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| ‧ 發明人/PI |
林清富,洪士哲,許書嘉 ,
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| ‧ 單位 |
光電工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明提供一種於非絕緣層上覆矽基板（non-silicon-on-insulator substrate）製作矽波導之方法，特別是有關一種使用雷射於矽基板製作矽波導之方法。該方法包含下列步驟：（1）製作一具高高寬比的背脊結構於一非絕緣層上覆矽（non-SOI）基板上;（2）以雷射照射該背脊結構，而將背脊結構融化重整為一上寬下窄之結構;（3）氧化該上寬下窄之結構以形成一矽波導。
The present invention relates to a method for producing silicon waveguides on non-SOI substrate (non-silicon-on-insulator substrate), and particularly relates to a method for producing silicon waveguides on silicon substrate with a laser. This method includes the following steps: (1) forming a ridge structure with high aspect ratio on a non-SOI substrate; (2) melting and reshaping the ridge structure by laser illumination for forming a structure having broad upper part and narrow lower part; and (3) oxidizing the structure having broad upper part and narrow lower part to form a silicon waveguide.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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