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以溶液製程製作氧化鎳與氧化銅薄膜及其在有機光電的應用

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	光電元件及其製法
‧ 公開號	201240176 US 2011-0240996 A1
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2011/03/25) 美國 (2011/06/14)

‧ 發明人/PI	林清富,黃敬舜,邱建林,
‧ 單位	光電工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

本發明實施例揭露一種光電元件及製法,利用溶液法製作光電元件的p型過渡金屬氧化物層、主動層、n型過渡金屬氧化物層,其中p型過渡金屬氧化物層包含一氧化鎳或一氧化銅層,或者一混合層,其包含氧化鎳或氧化銅混合一n型過渡金屬氧化物。

Embodiments of this invention disclose optoelectronic devices and their producing methods. The embodiments employ solution processes to produce p-type transition metal oxide layer, active layer, and n-type transition metal oxide layer of the optoelectronic devices. The p-type transition metal oxide layer comprises a copper oxide (CuO) layer or a nickel oxide (NiO) layer or a mixing layer, which comprises CuO or NiO mixed with an n-type transition metal oxide.

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