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Low-K cavity formed by self-ending anodization
 刊登日期：2017/11/07
  ‧ 專利名稱 Low-K cavity formed by self-ending anodization
  ‧ 專利證書號 9812395B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2014/10/07)
 
  ‧ 發明人/PI 田維誠,胡振國,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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