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自合成導電薄膜或共軛高分子薄膜之形成方法與應用

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	自合成導電薄膜或共軛高分子薄膜之形成方法與應用
‧ 專利證書號	I336726
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2004/10/08)

‧ 發明人/PI	謝國煌,梁文傑,林金福,邱文英,陳文章,王立義,廖文彬,戴子安,林唯芳,張宏鈞,王宏仁,郭昭輝,李其欣,黃俊銘,施振遠,
‧ 單位	高分子科學與工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

本發明揭示了一種自合成導電或共軛高分子薄膜之形成方法及其應用，此形成方法首先於基材上形成至少一個具有特定圖案與特定官能基之光阻以鍵結(藉由化學反應或吸引力，其中吸引力更包含離子錯合與氫鍵)一導電或共軛高分子聚合單元之另一特定官能基，並藉此形成一具有特定圖案之導電薄膜。此外，本發明之技術亦可應用於發光或共軛薄膜的形成方法，特別是有關於有機發光二極體元件(OLED/PLED)中之發光層的形成方法。本發明之代表圖如第十圖所示。

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