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 利用金屬輔助溼蝕刻技術製作高非等向性之矽溝槽結構
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
矽溝槽結構的製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I459459
US8193095B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2010/10/13)
美國 (2011/02/11)
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| ‧ 發明人/PI |
林清富,洪士哲,許書嘉,
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| ‧ 單位 |
光電工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種矽溝槽結構的製造方法，包含在一矽基板上定義一蝕刻區域；形成複數個金屬催化劑於該蝕刻區域上；浸沒該矽基板於一第一蝕刻溶液，形成高非等向性蝕刻的矽奈米結構於該蝕刻區域；浸沒該矽基板於一第二蝕刻溶液，造成矽奈米結構與矽基板連接處的側向蝕刻，使矽奈米結構本質脫離該矽基板，形成一矽溝槽結構。
A method for forming a silicon trench, comprises the steps of: defining an etching area at a silicon substrate; forming metal catalysts at the surface of the etching area; immersing the silicon substrate in a first etching solution thereby forming anisotropic silicon nanostructures in the etching area; immersing the silicon substrate in a second etching solution thereby resulting in the silicon nanostructures being side-etched and detached from the silicon substrate, thus forming the silicon trench.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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