垂直磁記錄薄膜及其製造方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 垂直磁記錄薄膜及其製造方法
  ‧ 公開號 200917240
US 2009-0092858 A1
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2007/10/05)
美國 (2008/05/30)
 
  ‧ 發明人/PI 陳勝吉,郭博成 ,沈智隆 ,徐上林,張慶瑞 ,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本案係指一種垂直磁記錄薄膜,包含有:一基板,一非磁性層,形成於該基板上,以及一鐵磁性層,形成於該非磁性層上,其中該鐵磁性層上經由退火(annealing)而產生一反鐵磁性氧化物,且該反鐵磁性氧化物與該鐵磁性層間產生磁交換耦合(exchange coupling)作用。

The perpendicular magnetic recording medium of the present invention includes a substrate, a non-magnetic layer, a ferromagnetic layer and an antiferromagnetic oxide. The non-magnetic layer is formed on the substrate and the ferromagnetic layer is formed on the non-magnetic layer. The antiferromagnetic oxide is formed in the ferromagnetic layer after the perpendicular magnetic recording medium is annealed by an annealing process. An exchange coupling interaction between the antiferromagnetic oxide and the ferromagnetic materials is introduced.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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