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Single-crystal ALD-Y2O3 on GaAs(001)-4x6
 刊登日期：2017/11/30
  ‧ 專利名稱 Single-crystal ALD-Y2O3 on GaAs(001)-4x6
  ‧ 專利證書號 10,283,349 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2016/05/27)
 
  ‧ 發明人/PI 陳冠雄,洪銘輝,郭瑞年,林延勳 ,吳紹筠,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 
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