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使用可產生侷域表面電漿量子的奈米結構薄膜層來進行近場光學奈米微影的技術

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	使用可產生侷域表面電漿量子的奈米結構薄膜層來進行近場光學奈米微影的技術
‧ 專利證書號	I245022
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2003/07/21)

技術摘要 / Our Technology：

本發明係為一種可突破光學繞射極限尺度，具有超解析能力的近場光學奈米微影技術，其方法為使用聚焦之雷射光作用在一個具有奈米結構可產生侷域表面電漿量子的奈米結構薄膜層上，於近場距離內來達成在待進行奈米微影之材料層表面的超解析近場光學奈米微影作用。

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