氧化物薄膜/亞波長陣列之抗反射結構及其製造方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 抗反射結構及其製造方法
  ‧ 公開號 201122536
US 2011-0149399 A1
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2009/12/18)
美國 (2010/05/05)
 
  ‧ 發明人/PI 彭隆瀚,巫漢敏,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種抗反射結構及其製造方法,上述抗反射結構包括一基板,其具有複數個彼此相鄰的突形結構,以供一光線入射;一介電結構層,覆蓋上述些突形結構上。

The embodiment provides an antireflection structure and a method for fabricating the same. The antireflection structure includes a substrate having a plurality of protruding structures adjacent to one another, thereby allowing light to transmit through. And a dielectric structural layer covers a plurality of the protruding structures.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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