|
 具有台面終端的碳化矽蕭基二極體之製造方法
|
刊登日期：2014/05/21 |
|
|
|
|
|
| ‧ 專利名稱 |
具有台面終端的碳化矽蕭基二極體元件及製造方法 |
| ‧ 公開號 |
201330283
US 2013-0168696 A1
|
| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2012/01/04)
美國 (2012/04/27)
|
|
|
| |
| ‧ 發明人/PI |
王惠萱 ,黃浩宸 ,劉致為 ,
|
| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
|
| ‧ 簡歷/Experience |
|
|
| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明揭露一種具有台面終端的碳化矽蕭基二極體元件及製造方法。碳化矽蕭基二極體元件包含在n型碳化矽基板上形成具有台面終端延伸結構的n型碳化矽磊晶層，二p型區域於n型碳化矽磊晶層內以及一蕭基金屬接點位於n型碳化矽磊晶層與二p型區域上，一介電層則位於該台面終端延伸結構之側壁與平面上。
A silicon carbide Schottky diode device with mesa terminations and the manufacturing method thereof are provided. The silicon carbide Schottky diode device includes an n-type epitaxial silicon carbide layer with mesa terminations on an n-type silicon carbide substrate, two p-type regions in the n-type epitaxial silicon carbide layer and a Schottky metal contact on the n-type epitaxial silicon carbide layer and the p-type regions, a dielectric layer on sidewalls and planes of the mesa terminations.
|
| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
|
| |
聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
|
| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
|
|
| |
|
| |
 |
專利行銷平台