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 一種以鎳/銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
一種以鎳/銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I226660
6787434B1
10-0583512
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2003/04/01)
韓國 (2003/04/25)
美國 (2003/05/02)
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| ‧ 發明人/PI |
李嗣涔 ,薛瑋傑,陳志杰 ,
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| ‧ 單位 |
請選擇系所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係一種以鎳／銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法，係用於TFT-LCD平面顯示器上，其主要係於基板上分別蒸鍍1至50nm厚度之銅金屬(Cu)及鎳金屬(Ni)；再於蒸鍍有銅(Cu)及鎳(Ni)多層金屬之樣品上成長1至200nm厚度之非晶矽薄膜；最後將蒸鍍有銅(Cu)、鎳(Ni)多層金屬及非晶矽薄膜之樣品以590℃以下的溫度退火快速形成一多晶矽薄膜，可以比傳統的鎳(Ni)單層金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜快十倍以上；如是，可使本發明利用非晶矽氫薄膜於高溫爐退火時具有在低溫條件下快速成長出多晶矽薄膜的特點，藉以大幅減少製程的時間，而使得本技術能為工業界所採用。
A Method of fabricating polysilicon film by Nickel/Copper induced lateral crystallization for the TFT-LCD, comprising the step of: (a) a thin (~50 nm) Copper and Nickel being evaporated onto the substrate; (b) a amorphous-silicon film (~200 nm) being evaporated onto thereof obtained according to (a); (c) applying annealing at less than 600 DEG C to thereof obtained according to (b) for fast fabricating poly-silicon film. It is approximately 10 times larger than that of Ni-induced poly-silicon. The present invention is to provide the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films annealing at a high-temperature furnace having low-temperature fast fabricating poly-silicon film for substantially time-reduced process and industrial applicability.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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