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 一種多節奈米柱之結構與製作方法
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刊登日期：2016/09/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
一種多節奈米柱之結構與製作方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I548113
9478701
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2014/03/11)
美國 (2014/04/30)
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| ‧ 發明人/PI |
楊志忠,廖哲浩,杜長耕,陳鴻祥,蘇佳瑩
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| ‧ 單位 |
光電工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種半導體發光元件，其包括基板、第一型摻雜半導體結構、發光層以及第二型摻雜半導體層。第一型摻雜半導體結構位於基板上且包括基底以及由基底向上延伸的多個多段式柱狀結構。各多段式柱狀結構包括多段柱狀體以及至少一連接部。連接部將相鄰兩段柱狀體沿第一方向串接，其中第一方向垂直基底且由基底指向連接部。不同段柱狀體在平行基板的參考平面上的截面積彼此不同，且連接部在參考平面上的截面積沿第一方向減少。發光層位於柱狀體的側壁面上。第二型摻雜半導體層位於發光層上。另提供一種半導體發光元件的製造方法。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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