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 低溫製備結晶化陶瓷薄膜之高壓製程
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
低溫製備結晶化陶瓷薄膜之高壓製程 |
| ‧ 專利證書號 |
170962
US6,143,366
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (1998/12/24)
中華民國 (1999/05/03)
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| ‧ 發明人/PI |
呂宗昕,
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| ‧ 單位 |
化學工程學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係關於利用高壓於氣相中促進陶瓷薄膜結晶化之製程。其係在高壓環境下，陶瓷之非晶質或部份結晶化先驅物薄膜經過高壓之氣相中熱處理後，可在低溫達成薄膜結晶化。本發明有效改善陶瓷薄膜之性質，並減少製程中所耗熱能。藉由結晶化溫度之降低，可減少薄膜與基板於加熱過程中之界面反應，避免陶瓷薄膜成份偏移及薄膜特性改變，本發明亦可減小薄膜之晶粒，因此增加薄膜表面之平坦度；並且因低溫製程可降低一般結晶化過程所需之能量。本發明之方法可應用於製作電子或光電元件上，如動態隨機存取憶體、非揮發隨機存取憶體、積層電容器、致動器、壓電元件、焦電感測器、微機電元件、氣體感測器、光電顯示器、光電開關、非線性光學元件、導電薄膜、及反射或抗反射鍍膜上。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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