P-N二極體光波感測之方法及裝置
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 P-N二極體光波感測之方法及裝置
  ‧ 專利證書號 I346393
7579668
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2007/07/05)
美國 (2007/10/19)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為 ,賴俊宏 ,陳盟坤 ,何偉碩 ,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提出一種P-N二極體光波感測器及方法。該P-N二極體光波感測器包括一第一P-N二極體及一第二P-N二極體。該第一P-N二極體具有一第一P-N接面,而該第一P-N接面具有一第一深度,當該第一P-N二極體接受一光波照射後,可產生一第一電子訊號。該第二P-N二極體,則具有一第二P-N接面,該第二P-N接面具有一第二深度,當該第二P-N二極體接收該光波照射後,可產生一第二電子訊號。其中,該第二深度大於該第一深度,同時該第一電子訊號與該第二電子訊號經一運算後,可得一第三電子訊號。
A method for photo-detecting and an apparatus for the same are provided. The apparatus for photo-detecting includes a first P-N diode and a second P-N diode. The first P-N diode, has a first P-N junction which has a first thickness, by which a first electrical signal is generated when irradiated by light, and the second P-N diode has a second P-N junction which has a second thickness, by which a second electrical signal is generated when irradiated by light. The second thickness is larger than the first thickness and an operation of the first electrical signal and the second electrical signal is proceeded for obtaining a third electrical signal.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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