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 透明氧化物薄膜電晶體結構及其製作方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
薄膜電晶體 |
| ‧ 專利證書號 |
I380455
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2009/09/09)
美國 (2009/10/30)
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| ‧ 發明人/PI |
彭隆瀚,王菘豐,郭宏瑋,
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| ‧ 單位 |
光電工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種薄膜電晶體，該薄膜電晶體之通道層係由至少兩種不同的氧化物材料所形成之複數氧化物層所堆疊而成，俾藉該通道層調變該薄膜電晶體之臨限電壓；復可於該薄膜電晶體之通道層以及絶緣介電層間設置絕緣介面層，以藉此使該薄膜電晶體之電晶體特性由空乏型轉變成為增強型。
A thin film transistor includes a channel layer. The channel layer has a plurality of stacked oxide layers. The oxide layers are made of at least two different oxide materials. The channel layer modulates a threshold voltage of the thin film transistor. An insulating interface layer is formed between the channel layer and an insulating dielectric layer, thereby transforming the thin film transistor from a depletion type transistor to an enhanced type transistor.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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