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製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備
 刊登日期：2019/05/01
  ‧ 專利名稱 製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備
  ‧ 專利證書號 I658002
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 中華民國 (2018/08/15)
 
  ‧ 發明人/PI 藍崇文,
  ‧ 單位 前瞻綠色材料高值化研究中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：
本發明之方法係採用多顆二氧化矽殼/矽核複合粉體而非採用矽粉體與二氧化矽粉體，來反應成一氧化矽並昇華為一氧化矽蒸氣，再收集一氧化矽蒸氣將其冷卻成一氧化矽沉積物。
專利簡述 / Intellectual Properties：



 

聯繫方式 / Contact：
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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