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光偵測器

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	光偵測器
‧ 公開號	200837965 US 2008/0217651 A1
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2007/03/05) 美國 (2007/07/27)

‧ 發明人/PI	劉致為 ,林楚軒 ,余承曄 ,
‧ 單位	電子工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

一種光偵測器,包含一承載基板、一鍺層、一第一金屬電極、一絕緣層以及一第二金屬電極。該鍺層位於該承載基板上方,並且該鍺層包括一第一區域及一第二區域。該第一金屬電極位於該第一區域上,該絕緣層設置於該第二區域上,該第二金屬電極形成於該絕緣層上,該絕緣層是以低溫液相沉積技術形成。
A photodetector is provided. The photodetector includes a base piece; a germanium layer mounted on the base piece and including a first area and a second area; a first metal electrode mounted on the first area; an insulation layer mounted on the second area; and a second metal electrode mounted on the insulation layer.

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