利用週期性二氧化矽奈米蜂窩陣列提升氮化銦鎵量子井光電元件之效率
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法及其用途
  ‧ 專利證書號 I476144
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/05/14)
 
  ‧ 發明人/PI 傅柏翰 ,林冠中,賴昆佑,何志浩,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種週期性奈米孔洞狀結構陣列之製造方法,包括:於一基材上形成一氧化物薄膜;將該氧化物薄膜進行一親水性處理;於該氧化物薄膜上形成一奈米球陣列;在第一蝕刻條件中,對該奈米球陣列進行第一蝕刻;以及在第二蝕刻條件中,以該奈米球陣列作為光罩,對該氧化物薄膜進行第二蝕刻,其中第一蝕刻條件與第二蝕刻條件之蝕刻參數已最佳化,俾使製程簡化且成本低廉。本發明亦提供一種抗反射層,藉由以前述之方法所製造之週期性奈米孔洞狀結構陣列,來更有效抑制各種波長範圍中的表面反射,應用於光電元件上可增加其效能。
The present invention provides a method for preparing a periodic nanohole structure array, comprising forming an oxide film onto a substrate; hydrophilically treating the oxide film; forming a nanosphere array on the oxide film; performing a first etching step to etch the nanosphere array in a first etching condition; and performing a second etching step to etch the oxide film using the nanosphere as a etching mask in a second etching condition, wherein the parameters during the first and second etching steps are optimized such that the process can be simplified and the cost can be reduced. An anti-reflective layer is also provided herein to suppress surface reflection over a wide range of wavelengths, and thereby optical performances will be enhanced when applied in an optoelectronic device.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945