利用n型氧化鋅(n-ZnO)/鋁酸鑭(LaAlO3)/p型矽(p-Si)異質接面做無視可見光之紫外光偵測
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 阻擋可見光之紫外光偵測器及其製造方法
  ‧ 公開號 201405851
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/07/27)
 
  ‧ 發明人/PI 何志浩,蔡東昇 ,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭露一種阻擋可見光之紫外光偵測器及其製造方法,其係於N型氧化鋅層與P型矽層之間設置一鋁酸鑭層,以作為電子阻擋及緩衝層。本發明除了可以抑制可見光與紅外光的響應,更改善了氧化鋅與矽之間晶格不匹配的問題,從而增進紫外光偵測器的訊噪比及N型氧化鋅/P型矽異質接面的品質。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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